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Utku Karaca
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Silicon CMOS and InGaAs(P)/InP SPADs for NIR/SWIR detection
Applications demanding imaging at low-light conditions at near-infrared (NIR) and short-wave infrared (SWIR) wavelengths, such as quantum information science, biophotonics, space imaging, and light detection and ranging (LiDAR), have accelerated the develo ...
EPFL2024A 73% Peak PDP Single-Photon Avalanche Diode Implemented in 110 nm CIS Technology With Doping Compensation
Edoardo Charbon, Claudio Bruschini, Ekin Kizilkan, Utku Karaca, Myung Jae Lee
In this article, we present 10 mu m diameter SPADs fabricated in 110 nm CIS technology based on an N (+) /HVPW junction, with enhanced sensitivity at short wavelengths. To reduce tunneling noise due to the highly-doped layers in the process, a doping compe ...
Ieee-Inst Electrical Electronics Engineers Inc2024Extended Temperature Modeling of InGaAs/InP SPADs
Edoardo Charbon, Claudio Bruschini, Ekin Kizilkan, Utku Karaca, Vladimir Pesic, Myung Jae Lee
We present a simulation method to estimate the dark count rate (DCR), photon detection probability (PDP), and dark current of InGaAs/InP single-photon avalanche diodes (SPADs) from 225K to 300K. All simulations are performed completely in TCAD and match we ...
New York2023