Passer au contenu principal

Recherche

Afficher tous les résultats pour

Accueil

Personne

Won Yong Ha

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Copyright © 2025 EPFL, tous droits réservés

Graph Chatbot

Source officielle

https://people.epfl.ch/won.ha?lang=fr

À propos de ce résultat

Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Publications associées (4)

Veuillez noter qu'il ne s'agit pas d'une liste complète des publications de cette personne. Elle inclut uniquement les travaux sémantiquement pertinents. Pour une liste complète, veuillez consulter Infoscience.

Unités associées (1)

Laboratoire d'architecture quantique

EPFL
STI
IEM
AQUA

SPAD Developed in 55 nm Bipolar-CMOS-DMOS Technology Achieving Near 90% Peak PDP

Edoardo Charbon, Claudio Bruschini, Ekin Kizilkan, Pouyan Keshavarzian, Francesco Gramuglia, Won Yong Ha, Myung Jae Lee

We present a single-photon avalanche diode (SPAD) developed in 55 nm bipolar-CMOS-DMOS (BCD) technology, which achieves high photon detection probability (PDP) while its breakdown voltage is lower than 20 V. To enhance the PDP performance, the SPAD junctio ...

Ieee-Inst Electrical Electronics Engineers Inc2024

Developing photodetectors for future RICH particle detector applications

Edoardo Charbon, Claudio Bruschini, Ming-Lo Wu, Utku Karaca, Won Yong Ha

The proposed next generation of particle physics experiments utilizing ring imaging Cherenkov detectors (RICH) will require photodetectors with 100 ps timing, mm2 granularity, large active area and the ability to operate in increasingly harsh environments. ...

SPIE2025

A Back-Illuminated SPAD Fabricated With 40 nm CMOS Image Sensor Technology Achieving Near 40% PDP at 940 nm

This article introduces a back-illuminated (BI) single-photon avalanche diode (SPAD) based on 40 nm CMOS image sensor (CIS) technology which is the most advanced technology node for the fabrication of a SPAD up to date. It's based on a P-well (PW) and deep ...

Ieee-Inst Electrical Electronics Engineers Inc2024