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Hongkeng Zhu

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Unités associées (1)

Laboratoire de dispositifs semiconducteurs de puissance

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Publications associées (7)

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Investigation of Dynamic RON in p-GaN Gate HEMTs under Steady-State Soft-Switching: Roles of OFF-State Trapping and Hole Injections

Elison de Nazareth Matioli, Hongkeng Zhu

Dynamic ON-resistance (RON) in GaN HEMTs is a critical issue for power electronics efficiency. This paper proposes a novel method to measure dynamic (RON) under long-term OFF-state drain-stress and steady-state soft-switching, comparing Schottky-type (GaN- ...

IEEE2025

Low‐Power Tunable Micro‐Plasma Device for Efficient and Scalable CO2 Valorization

Elison de Nazareth Matioli, Jeremy Luterbacher, Guang-Yu Sun, Hongkeng Zhu

Valorizing CO2 into chemical building blocks via efficient electrified processes could significantly decrease carbon emissions. In this work, a device that allows generation of tunable micro‐plasma modes (arc, pulsed, pulsed arc) on a chip for efficient, l ...

Wiley2025

Soft-Switching CO Hysteresis Losses in GaN HEMTs: A Resonant-Sawyer-Tower Measurement Method

Elison de Nazareth Matioli, Hongkeng Zhu

The inherent dissipated energy losses (Ediss) during the charging-discharging cycle of output capacitance (CO) in gallium nitride high-electron-mobility transistors (GaN HEMTs) limit their efficiency in soft-switching applications. Accurate characterizatio ...

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)2024