Optical study of extended-molecular-layer flat islands in lattice-matched InO.53 GaO.47 As/InP and InO.53GaO.47As/In1-xGaxAsyP1-y quantum wells grown by low-pressure metal-organic vapor-phase epitaxy with different interruption cycles
Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.