Nanomechanical structure can be made without lithography
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La photolithographie est l'ensemble des opérations permettant de transférer une image (généralement présente sur un masque) vers un substrat. Cette technique est très utilisée dans l'industrie du semi-conducteur. Les motifs de l'image ainsi transférée deviendront par la suite les différentes zones des composants électroniques (exemple : contact, drain...) ou les jonctions entre ces composants.
Interference lithography (or holographic lithography) is a technique for patterning regular arrays of fine features, without the use of complex optical systems or photomasks. The basic principle is the same as in interferometry or holography. An interference pattern between two or more coherent light waves is set up and recorded in a recording layer (photoresist). This interference pattern consists of a periodic series of fringes representing intensity minima and maxima.
vignette|La technologie EUV. vignette|Outil de lithographie EUV. La lithographie extrême ultraviolet ou lithographie EUV est un procédé de photolithographie assez semblable aux procédés de lithographie classiques actuels. Il utilise un rayonnement ultraviolet (UV) d'une longueur d'onde de l'ordre de dix à quinze nanomètres (le rayonnement EUV avoisine donc la gamme des rayons X-mous), en remplaçant les objectifs (ou masques dits « en transmission ») par une série de miroirs de précision (exemple des masques dits « en réflexion »).
After providing a detailed overview of nanofabrication techniques for plasmonics, we discuss in detail two different approaches for the fabrication of metallic nanostructures based on e-beam lithography. The first approach relies on a negative e-beam resis ...
A continuous improvement of resolution in mask-aligner lithography is sought after to meet the requirements of an ever decreasing minimum feature size in back-end processes. For periodic structures, utilizing the Talbot effect for lithography has emerged a ...
We present an innovative fabrication method for solid-state nanoporous membranes based on the casting of sacrificial silicon nanostructures. The process allows the individual definition of geometry and placement of each nanopore through e-beam lithography ...
