Lithographie extrême ultraviolet

Résumé

vignette|La technologie EUV. vignette|Outil de lithographie EUV. La lithographie extrême ultraviolet ou lithographie EUV est un procédé de photolithographie assez semblable aux procédés de lithographie classiques actuels. Il utilise un rayonnement ultraviolet (UV) d'une longueur d'onde de l'ordre de dix à quinze nanomètres (le rayonnement EUV avoisine donc la gamme des rayons X-mous), en remplaçant les objectifs (ou masques dits « en transmission ») par une série de miroirs de précision (exemple des masques dits « en réflexion »). Il permet ainsi une résolution inférieure à . C’est une technologie prometteuse pour le développement industriel des gravures inférieures à . Historique La demande croissante de miniaturisation des circuits conduit à utiliser des longueurs d'onde de plus en plus petites. Lors du cinquième colloque international sur la lithographie EUV à Barcelone en , des chercheurs de l’université de Floride centrale (UCF) ont présenté leur expérience de couplag

Source officielle

https://fr.wikipedia.org/wiki/Lithographie_extr%C3%AAme_ultraviolet

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Lock-in amplified differential phase contrast

Chiara Bonati, Timothé Laforest, Damien Claude-Marie Loterie, Christophe Moser

We introduce a lock-in method to increase the phase contrast in incoherent Differential Phase Contrast (DPC) imaging. The use of a smart pixel detector with in-pixel signal demodulation, paired with synchronized illumination, provides the basis of a bit-efficient approach to DPC. The experiments show an increased sensitivity by a factor of 8, for equivalent standard DPC measurements; single-shot sensitivity of 0.7 mrad at a frame rate of 1400 fps is demonstrated. This new approach may open the way for the use of incoherent phase microscopy in biological applications where extreme phase sensitivity and millisecond response time is required.

SPIE-INT SOC OPTICAL ENGINEERING2022

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Filed-effect passivatoin on silicon nanowire solar cells

Esther Alarcon Llado, Ignasi Canales Mundet, Anna Dalmau Mallorquí, Stefaan De Wolf, Bénédicte Demaurex, Anna Fontcuberta i Morral, Amirreza Kiani

Surface recombination represents a handicap for high-efficiency solar cells. This is especially important for nanowire array solar cells, where the surface-to-volume ratio is greatly enhanced. Here, the effect of different passivation materials on the effective recombination and on the device performance is experimentally analyzed. Our solar cells are large area top-down axial n-p junction silicon nanowires fabricated by means of Near-Field Phase-Shift Lithography (NF-PSL). We report an efficiency of 9.9% for the best cell, passivated with a SiO2/SiN x stack. The impact of the presence of a surface fixed charge density at the silicon/oxide interface is studied.

2014

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Field-effect passivation on silicon nanowire solar cells (vol 8, pg 673, 2015)

Anna Dalmau Mallorquí, Stefaan De Wolf, Bénédicte Demaurex, Anna Fontcuberta i Morral, Amirreza Kiani

Surface recombination represents a handicap for high-efficiency solar cells. Surface recombination represents a handicap for high-efficiency solar cells. This is especially important for nanowire array solar cells, where the surface-to-volume ratio is greatly enhanced. Here, the effect of different passivation materials on the effective recombination and on the device performance is experimentally analyzed. Our solar cells are large area top-down axial n–p junction silicon nanowires fabricated by means of Near-Field Phase-Shift Lithography (NF-PSL). We report an efficiency of 9.9% for the best cell, passivated with a SiO2/SiNx stack. The impact of the presence of a surface fixed charge density at the silicon/oxide interface is studied.

Tsinghua Univ Press2016

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