Self-aligned gateUne self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par « grille auto-alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, très dopée, est utilisée en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent. Grâce à cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET. La technique de self-aligned gate est née en 1966, et fut brevetée aux États-Unis en . Fa
Multigate deviceA multigate device, multi-gate MOSFET or multi-gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that has more than one gate on a single transistor. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces act electrically as a single gate, or by independent gate electrodes. A multigate device employing independent gate electrodes is sometimes called a multiple-independent-gate field-effect transistor (MIGFET).
Hybrid integrated circuitA hybrid integrated circuit (HIC), hybrid microcircuit, hybrid circuit or simply hybrid is a miniaturized electronic circuit constructed of individual devices, such as semiconductor devices (e.g. transistors, diodes or monolithic ICs) and passive components (e.g. resistors, inductors, transformers, and capacitors), bonded to a substrate or printed circuit board (PCB). A PCB having components on a Printed Wiring Board (PWB) is not considered a true hybrid circuit according to the definition of MIL-PRF-38534.
Semi-conducteurUn semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante. En d'autres termes, la conductivité électrique d'un semi-conducteur est intermédiaire entre celle des métaux et celle des isolants. Le comportement électrique des semi-conducteurs est généralement modélisé, en physique de l'état solide, à l'aide de la théorie des bandes d'énergie.
Capteurvignette|Le système informatique d'un avion de ligne gère en une fraction de seconde les données issues de nombreux capteurs (vitesse, direction, contrôle des réacteurs). vignette|Capteur infrarouge. Un capteur est un dispositif transformant l'état d'une grandeur physique observée en une grandeur utilisable, telle qu'une tension électrique, une hauteur de mercure, un courant électrique ou la déviation d'une aiguille. Le capteur se distingue de l'instrument de mesure par le fait qu'il ne s'agit que d'une interface entre un processus physique et une information manipulable.
Invention of the integrated circuitThe first planar monolithic integrated circuit (IC) chip was demonstrated in 1960. The idea of integrating electronic circuits into a single device was born when the German physicist and engineer Werner Jacobi developed and patented the first known integrated transistor amplifier in 1949 and the British radio engineer Geoffrey Dummer proposed to integrate a variety of standard electronic components in a monolithic semiconductor crystal in 1952. A year later, Harwick Johnson filed a patent for a prototype IC.
Failure of electronic componentsElectronic components have a wide range of failure modes. These can be classified in various ways, such as by time or cause. Failures can be caused by excess temperature, excess current or voltage, ionizing radiation, mechanical shock, stress or impact, and many other causes. In semiconductor devices, problems in the device package may cause failures due to contamination, mechanical stress of the device, or open or short circuits. Failures most commonly occur near the beginning and near the ending of the lifetime of the parts, resulting in the bathtub curve graph of failure rates.
Résistance thermiqueLa résistance thermique quantifie l'opposition à un flux thermique entre deux isothermes entre lesquels s'effectue un transfert thermique de sorte que : où est le flux thermique en watts (W) et est la différence de température en kelvins (K). La résistance thermique s'exprime en kelvins par watt (K/W). La résistance thermique surfacique (en mètres carrés-kelvins par watt, K·m·W-1, est son équivalent rapporté à la densité de flux thermique (en watts par mètre carré, W/m) : Cette dernière est davantage utilisée dans le cas des surfaces planes notamment dans le domaine de la thermique du bâtiment.
Résistance (composant)thumb|Différentes variétés de résistances. Une résistance ou resistor est un composant électronique ou électrique dont la principale caractéristique est d'opposer une plus ou moins grande résistance (mesurée en ohms) à la circulation du courant électrique. C'est par métonymie que le mot « résistance », qui désigne avant tout une propriété physique, en est venu à désigner aussi un type de composant que certains préfèrent appeler un « dipôle résistant ».
Power semiconductor deviceA power semiconductor device is a semiconductor device used as a switch or rectifier in power electronics (for example in a switch-mode power supply). Such a device is also called a power device or, when used in an integrated circuit, a power IC. A power semiconductor device is usually used in "commutation mode" (i.e., it is either on or off), and therefore has a design optimized for such usage; it should usually not be used in linear operation. Linear power circuits are widespread as voltage regulators, audio amplifiers, and radio frequency amplifiers.
