A multigate device, multi-gate MOSFET or multi-gate field-effect transistor (MuGFET) refers to a metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) that has more than one gate on a single transistor. The multiple gates may be controlled by a single gate electrode, wherein the multiple gate surfaces act electrically as a single gate, or by independent gate electrodes. A multigate device employing independent gate electrodes is sometimes called a multiple-independent-gate field-effect transistor (MIGFET). The most widely used multi-gate devices are the FinFET (fin field-effect transistor) and the GAAFET (gate-all-around field-effect transistor), which are non-planar transistors, or 3D transistors. Multi-gate transistors are one of the several strategies being developed by MOS semiconductor manufacturers to create ever-smaller microprocessors and memory cells, colloquially referred to as extending Moore's law (in its narrow, specific version concerning density scaling, exclusive of its careless historical conflation with Dennard scaling). Development efforts into multigate transistors have been reported by the Electrotechnical Laboratory, Toshiba, Grenoble INP, Hitachi, IBM, TSMC, UC Berkeley, Infineon Technologies, Intel, AMD, Samsung Electronics, KAIST, Freescale Semiconductor, and others, and the ITRS predicted correctly that such devices will be the cornerstone of sub-32 nm technologies. The primary roadblock to widespread implementation is manufacturability, as both planar and non-planar designs present significant challenges, especially with respect to lithography and patterning. Other complementary strategies for device scaling include channel strain engineering, silicon-on-insulator-based technologies, and high-κ/metal gate materials. Dual-gate MOSFETs are commonly used in very high frequency (VHF) mixers and in sensitive VHF front-end amplifiers. They are available from manufacturers such as Motorola, NXP Semiconductors, and Hitachi. Dozens of multigate transistor variants may be found in the literature.

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Concepts associés (17)
Three-dimensional integrated circuit
A three-dimensional integrated circuit (3D IC) is a MOS (metal-oxide semiconductor) integrated circuit (IC) manufactured by stacking as many as 16 or more ICs and interconnecting them vertically using, for instance, through-silicon vias (TSVs) or Cu-Cu connections, so that they behave as a single device to achieve performance improvements at reduced power and smaller footprint than conventional two dimensional processes. The 3D IC is one of several 3D integration schemes that exploit the z-direction to achieve electrical performance benefits in microelectronics and nanoelectronics.
Montage cascode
Le montage cascode, à ne pas confondre avec le montage en cascade, associe deux transistors de caractéristiques différentes (ils peuvent être tous deux bipolaires, tous deux à effet de champ, ou un de chaque). Chaque transistor apporte dans le montage un avantage propre (rapidité pour l'un, sensibilité à la lumière ou capacité de supporter une tension élevée pour l'autre). Le cascode permet de combiner les avantages de chacun dans l'hybride. Dans le cascode, les deux transistors sont montés en série, c'est-à-dire qu'ils sont traversés par le même courant.
Diélectrique high-k
Un diélectrique high-κ (high-κ dielectric) est un matériau avec une constante diélectrique κ élevée (comparée à celle du dioxyde de silicium) utilisé dans la fabrication de composants semi-conducteur en remplacement de la grille habituellement en dioxyde de silicium. L'utilisation de ce type de matériau constitue l'une des stratégies de développement permettant la miniaturisation des composés en microélectronique, afin de permettre de continuer à suivre la Loi de Moore.
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