Floating-gate MOSFETThe floating-gate MOSFET (FGMOS), also known as a floating-gate MOS transistor or floating-gate transistor, is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) where the gate is electrically isolated, creating a floating node in direct current, and a number of secondary gates or inputs are deposited above the floating gate (FG) and are electrically isolated from it. These inputs are only capacitively connected to the FG.
Système embarquéUn système embarqué est un système électronique et informatique autonome, souvent temps réel, spécialisé dans une tâche précise. Le terme désigne aussi bien le matériel informatique que le logiciel utilisé. Ses ressources sont généralement limitées spatialement (encombrement réduit) et énergétiquement (consommation restreinte). L'un des premiers systèmes modernes embarqués reconnaissables a été le Apollo Guidance Computer en 1967, le système de guidage de la mission lunaire Apollo, développé par Charles Stark Draper du Massachusetts Institute of Technology.
Surface chargeA surface charge is an electric charge present on a two-dimensional surface. These electric charges are constrained on this 2-D surface, and surface charge density, measured in coulombs per square meter (C•m−2), is used to describe the charge distribution on the surface. The electric potential is continuous across a surface charge and the electric field is discontinuous, but not infinite; this is unless the surface charge consists of a dipole layer. In comparison, the potential and electric field both diverge at any point charge or linear charge.
Electrically-erasable programmable read-only memoryvignette|EEPROM Silicon Storage Technology 39VF512. La mémoire EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory ou mémoire morte effaçable électriquement et programmable) (aussi appelée E2PROM ou E2PROM) est un type de mémoire morte. Une mémoire morte est une mémoire utilisée pour enregistrer des informations qui ne doivent pas être perdues lorsque l'appareil qui les contient n'est plus alimenté en électricité. Le contenu de la mémoire EEPROM peut être facilement effacé et réécrit à l'aide d'un courant électrique.
Logiciel enfouiLes logiciels enfouis ou embarqués (embedded software), sont des entités autonomes qui remplissent une mission indépendante, parfois critique, sans intervention humaine, en général en interaction directe avec l’environnement extérieur que celui-ci soit physique ou informatique. Ces systèmes autonomes peuvent être isolés mais ils sont la plupart du temps reliés et communiquent à travers un réseau grâce à un logiciel d'intermédiation.
Mémoire à changement de phaseLa mémoire à changement de phase, ou PCM pour Phase Change Memory, ou encore PRAM pour Phase-Change RAM, est un type de mémoire non volatile s'appuyant sur la transition de phase de certains matériaux pour le stockage des informations, à l'instar des disques optiques réinscriptibles. Elle est présentée comme mémoire universelle car elle combine la vitesse et l’endurance de la mémoire vive (RAM) et la non-volatilité et le faible coût de la mémoire flash. Les premières PRAM ont été mises en vente en 2012 par Samsung.
Composant semi-conducteurvignette|Aperçu de quelques dispositifs semi-conducteurs encapsulés Un composant semi-conducteur est un composant électronique dont le fonctionnement repose sur les propriétés électroniques d'un matériau semi-conducteur (principalement le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium, ainsi que des semi-conducteurs organiques). Sa conductivité se situe entre les conducteurs et les isolants. Les composants semi-conducteurs ont remplacé les tubes à vide dans la plupart des applications.
3D XPointthumb|Schéma de principe de la mémoire 3D XPoint thumb|Intel Optane carte mère M.2 3D XPoint (prononcé en anglais « 3D CrossPoint ») est une technologie de mémoire non volatile annoncée par Intel et Micron en et abandonnée en 2022. La vitesse de fonctionnement et la longévité d'écriture étaient censées être chacune mille fois meilleures que celles de la mémoire flash. Alors que la mémoire NAND utilise les charges électriques et les blocs mémoires pour stocker des données, la mémoire 3D XPoint utilise la résistance électrique et les bits de données, qui peuvent être écrits et lus individuellement.
Capacité électriqueEn électricité et en électronique, la capacité représente la quantité de charges électriques portées par un accumulateur, un condensateur ou un conducteur pour une tension donnée. Elle est définie comme étant la somme des charges électriques de l'élément divisée par le potentiel de l'élément : où : capacité (en farads (F)) ; charge (en coulombs (C)) ; différence de potentiel aux bornes de l'élément (en volts (V)).
Potentiel zêtavignette|350px|Concentration ionique et différence de potentiel en fonction de la distance à la surface d'une particule en solution. Le potentiel zêta (ou potentiel électrocinétique zêta) représente la différence de potentiel entre la surface de la particule, recouverte d’ions opposés et solidement fixés, et le point de neutralité. Le potentiel zêta est un bon indicateur des interactions entre particules et donc de la stabilité des colloïdes tels que les émulsions (selon la théorie DLVO développée par Boris Derjaguin, Lev Landau, Evert Verwey et Theodoor Overbeek en 1940 qui propose que la stabilité des particules en suspension dépend d’un potentiel d’interaction total).
