Structural steelStructural steel is a category of steel used for making construction materials in a variety of shapes. Many structural steel shapes take the form of an elongated beam having a of a specific cross section. Structural steel shapes, sizes, chemical composition, mechanical properties such as strengths, storage practices, etc., are regulated by standards in most industrialized countries. Most structural steel shapes, such as -beams, have high second moments of area, which means they are very stiff in respect to their cross-sectional area and thus can support a high load without excessive sagging.
Niveau d'énergieUn niveau d'énergie est une quantité utilisée pour décrire les systèmes en mécanique quantique et par extension dans la physique en général, sachant que, s'il y a bien quantification de l'énergie, à un niveau d'énergie donné correspond un « état du système » donné ; à moins que le niveau d'énergie soit dit « dégénéré ». La notion de niveau d'énergie a été proposée en 1913 par le physicien danois Niels Bohr.
Silicon on sapphireSilicon on sapphire (SOS) is a hetero-epitaxial process for metal–oxide–semiconductor (MOS) integrated circuit (IC) manufacturing that consists of a thin layer (typically thinner than 0.6 μm) of silicon grown on a sapphire (Al2O3) wafer. SOS is part of the silicon-on-insulator (SOI) family of CMOS (complementary MOS) technologies. Typically, high-purity artificially grown sapphire crystals are used. The silicon is usually deposited by the decomposition of silane gas (SiH4) on heated sapphire substrates.
Ingénierie des structuresL'ingénierie des structures est un domaine de l'ingénierie et plus particulièrement du génie civil, traitant de la stabilité des constructions (conception et de l'analyse des structures). Une structure est soumise à différentes actions, permanentes ou variables dans le temps, statiques ou dynamiques, de nature mécanique ou thermique, et sa conception vise à satisfaire certains critères vis-à-vis de ces actions : Sécurité : sa résistance, son équilibre et sa stabilité doivent être assurés avec une probabilité choisie ; Performance : son fonctionnement et le confort associés doivent être garantis pour une durée suffisante ; Durabilité : la dégradation de la structure dans le temps doit être limitée et maîtrisée pour satisfaire les deux premiers critères.
Electric dipole momentThe electric dipole moment is a measure of the separation of positive and negative electrical charges within a system, that is, a measure of the system's overall polarity. The SI unit for electric dipole moment is the coulomb-meter (C⋅m). The debye (D) is another unit of measurement used in atomic physics and chemistry. Theoretically, an electric dipole is defined by the first-order term of the multipole expansion; it consists of two equal and opposite charges that are infinitesimally close together, although real dipoles have separated charge.
Courant électriqueUn courant électrique est un mouvement d'ensemble de porteurs de charges électriques, généralement des électrons, au sein d'un matériau conducteur. Ces déplacements sont imposés par l'action de la force électromagnétique, dont l'interaction avec la matière est le fondement de l'électricité. On doit au physicien français André-Marie Ampère la distinction entre courant et tension électriques.
Prelog strainIn organic chemistry, transannular strain (also called Prelog strain after chemist Vladimir Prelog) is the unfavorable interactions of ring substituents on non-adjacent carbons. These interactions, called transannular interactions, arise from a lack of space in the interior of the ring, which forces substituents into conflict with one another. In medium-sized cycloalkanes, which have between 8 and 11 carbons constituting the ring, transannular strain can be a major source of the overall strain, especially in some conformations, to which there is also contribution from large-angle strain and Pitzer strain.
Spectroscopie des rayons XLa spectroscopie des rayons X rassemble plusieurs techniques de caractérisation spectroscopique de matériaux par excitation par rayons X. Trois familles de techniques sont le plus souvent utilisées. Selon les phénomènes mis en jeu, on distingue trois classes : L'analyse se fait par l'une des deux méthodes suivantes : analyse dispersive en énergie (Energy-dispersive x-ray analysis (EDXA) en anglais) ; analyse dispersive en longueur d'onde (Wavelength dispersive x-ray analysis (WDXA) en anglais).
Transistor à effet de champUn transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.
Pentoxyde d'azoteLe pentoxyde d'azote, ou pentaoxyde de diazote, est un composé chimique de formule . Il s'agit d'un solide blanc instable et très oxydant autrefois utilisé dissous dans le chloroforme comme réactif de nitration mais depuis largement remplacé par le tétrafluoroborate de nitronium . est une molécule apolaire à l'état gazeux et à l'état liquide, mais ionique à l'état solide : La première synthèse de a été réalisée dans les années 1840 par le chimiste français Henri Sainte-Claire Deville en traitant du nitrate d'argent par du chlore .
