Publication

Effect of fluoride plasma treatment on InAlN/GaN HEMTs

Nicolas Grandjean, Jean-François Carlin, Eric Feltin, Marcel Py, Marcus Gonschorek
2008
Article

Résumé

Fluoride plasma treatment similar to that used in AlGaN/GaN HEMTs has been applied to InAlN/GaN HEMTs. Enhancement mode of operation is obtained with a pinch-off voltage shifted by 3 V. Owing to the fluoride treatment an increase of the forward gate threshold to 3.5 V is observed. The small-signal performances are essentially unchanged. The thermal stability of this process has been assessed for the first time and appears to be limited to approximately 500 degrees C.

Source officielle

https://infoscience.epfl.ch/record/152866?ln=fr

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Selective, Fast-Response, and Regenerable Metal-Organic Framework for Sampling Excess Fluoride Levels in Drinking Water

A low-voltage CMOS-compatible time-domain photodetector, device & front end electronics

Strontium hydroxyapatite and strontium carbonate as templates for the precipitation of calcium-phosphates in the absence and presence of fluoride

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