AlGaN/GaN HEMTs on resistive Si(111) substrate: From material assessment to RF power performances
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Low-frequency noise measurements have been performed in the linear range of the I-V characteristics of pseudomorphic Al0.3Ga0.7As/In0.25Ga0.75As/GaAs high electron mobility transistors (HEMTs) grown by molecular beam epitaxy with different channel thicknes ...
We studied the influence of the indium composition y, growth temperature T(s) and InGaAs quantum-well channel thickness d(ch) on the 300 and 77 K Hall electrical properties of pseudomorphic modulation doped field effect transistor (MODFET)-type heterostruc ...
We studied the influence of the growth temperature Ts and of the InGaAs quantum-well channel thickness dch on the 300 and 77 K Hall electrical properties of pseudomorphic MODFET-type heterostructures grown by molecular-beam epitaxy (MBE). In agreement with ...
