Dépôt chimique en phase vapeurvignette|Schéma d'un CVD Le dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD pour l'anglais chemical vapor deposition) est une méthode de dépôt sous vide de films minces, à partir de précurseurs gazeux. La CVD est un procédé utilisé pour produire des matériaux solides de haute performance, et de grande pureté. Ce procédé est souvent utilisé dans l'industrie du semi-conducteur pour produire des couches minces. Dans un procédé CVD typique, le substrat est exposé à un ou plusieurs précurseurs en phase gazeuse, qui réagissent et/ou se décomposent à la surface du substrat pour générer le dépôt désiré.
Ablation laser pulséL'ablation laser pulsé (en anglais Pulsed Laser Deposition ou PLD) est une méthode de dépôt en couches minces utilisant un laser de très forte puissance. Elle permet de facilement produire divers alliages binaires. Expérimentée pour la première fois en 1965, par H.M. Smith et A.F. Turner, la découverte de l'ablation laser pulsé fait suite aux récentes avancées concernant l'étude et la compréhension des phénomènes d'interactions entre les lasers et les surfaces solides.
Évaporation sous videLévaporation sous vide est une technique de dépôt de couche mince (généralement métallique), utilisée notamment dans la fabrication micro-électronique. Le matériau à déposer est évaporé sous vide dans une enceinte hermétique, le vide permettant aux particules d'atteindre directement le support où elles se recondensent à l'état solide. L'évaporation sous vide repose sur deux processus élémentaires : l'évaporation d'une source chauffée et la condensation à l’état solide de la matière évaporée sur le substrat.
Laser à fluorure d'argonUn laser à fluorure d'argon, ou laser ArF, est un type particulier de laser à excimère (plus exactement, ici, de laser à exciplexe). Ce type de laser produit un rayonnement électromagnétique cohérent par dissociation d'un complexe excité ArF* de fluor et d'argon formé en absorbant de l'énergie d'une source extérieure : 2 Ar + F + énergie → 2 ArF* ArF* → ArF + hν à 2 ArF → 2 Ar + F Le complexe ArF* n'est stable qu'à l'état excité (c'est le sens du mot exciplexe) et se dissocie immédiatement en argon et fluor dès qu'il est retombé à son état fondamental, après émission de photons correspondant à la transition énergétique, à savoir un rayonnement électromagnétique à de longueur d'onde, c'est-à-dire dans l'ultraviolet.
Laser à excimèreUn laser à excimère, parfois appelé (et de façon souvent plus appropriée) laser à exciplexe, est un type de laser ultraviolet couramment utilisé en chirurgie oculaire et en photolithographie dans l'industrie des semiconducteurs. Un excimère est un dimère qui n'est stable qu'à l'état excité et se dissocie à l'état fondamental, tandis qu'un exciplexe est un complexe qui n'est stable qu'à l'état excité et se dissocie à l'état fondamental ; un excimère est donc un cas particulier d'exciplexe.
Ion laserAn ion laser is a gas laser that uses an ionized gas as its lasing medium. Like other gas lasers, ion lasers feature a sealed cavity containing the laser medium and mirrors forming a Fabry–Pérot resonator. Unlike helium–neon lasers, the energy level transitions that contribute to laser action come from ions. Because of the large amount of energy required to excite the ionic transitions used in ion lasers, the required current is much greater, and as a result almost all except for the smallest ion lasers are water-cooled.
Lampe à vapeur de mercurevignette|Une lampe à vapeur de mercure de 175 watts, environ 15 secondes après le démarrage. Une lampe à vapeur de mercure est une lampe à décharge qui utilise un arc électrique à travers du mercure vaporisé pour produire de la lumière. vignette|Lampe de Cooper Hewitt, 1903. Si l'on fait traverser les vapeurs de certains corps par un courant électrique ces vapeurs deviennent lumineuses. Charles Wheatstone a observé le spectre d'une décharge électrique dans de la vapeur de mercure en 1835 et a noté les raies ultraviolettes dans ce spectre.
Couche minceUne couche mince () est un revêtement dont l’épaisseur peut varier de quelques couches atomiques à une dizaine de micromètres. Ces revêtements modifient les propriétés du substrat sur lesquels ils sont déposés. Ils sont principalement utilisés : dans la fabrication de composants électroniques telles des cellules photovoltaïques en raison de leurs propriétés isolantes ou conductrices ; pour la protection d'objets afin d'améliorer les propriétés mécaniques, de résistance à l’usure, à la corrosion ou en servant de barrière thermique.
Laser à fluorure de kryptonUn laser à fluorure de krypton, souvent abrégé en laser KrF, est un type particulier de laser à excimère (qu'on devrait d'ailleurs appeler ici "laser à exciplexe"). Ce type de laser produit un rayonnement électromagnétique cohérent par dissociation d'un complexe excité KrF* de fluor et de krypton formé en absorbant de l'énergie d'une source extérieure : 2 Kr + + énergie → 2 KrF* KrF* → KrF + hν à 2 KrF → 2 Kr + Le complexe KrF* n'est stable qu'à l'état excité (la définition même d'un exciplexe) et se dissocie immédiatement en krypton et fluor dès qu'il est retombé à son état fondamental après émission de photons correspondant à la transition énergétique, à savoir un rayonnement électromagnétique à de longueur d'onde, c'est-à-dire dans l'ultraviolet.
High-intensity discharge lampHigh-intensity discharge lamps (HID lamps) are a type of electrical gas-discharge lamp which produces light by means of an electric arc between tungsten electrodes housed inside a translucent or transparent fused quartz or fused alumina arc tube. This tube is filled with noble gas and often also contains suitable metal or metal salts. The noble gas enables the arc's initial strike. Once the arc is started, it heats and evaporates the metallic admixture.
