Heavy metalLe heavy metal (ou simplement metal), parfois retranscrit heavy métal en français, est un genre musical dérivé du rock apparu au Royaume-Uni et aux États-Unis à la fin des années 1960. Cependant, le terme de est sujet à confusion car il peut prendre plusieurs sens différents selon le contexte dans lequel il est employé. Dans son contexte d'origine, il était indifféremment utilisé comme un synonyme de hard rock.
Electron beam physical vapor depositionvignette|Evaporateur métallique « E-gun » utilisé au centre de recherche « Thales Research & Technology » du milieu des années 80 jusqu’en 2004 pour l’évaporation des sandwichs métalliques de contact ohmique et de grille. L’évaporation par faisceau d’électrons (aussi évaporation par faisceau électronique ; en anglais : Electron-beam physical vapor deposition / EBPVD, aussi simplement electron-beam evaporation) est une forme de dépôt physique en phase gazeuse, plus spécifiquement d’évaporation sous vide, dans laquelle une anode cible sous vide poussé est bombardée par un faisceau d’électrons émis par un canon à électrons.
Atomic layer depositionL’atomic layer deposition (ALD) est un procédé de dépôt de couches minces atomiques. Le principe consiste à exposer une surface successivement à différents précurseurs chimiques afin d'obtenir des couches ultra-minces. Il est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. L'énorme avantage de l'ALD est de pouvoir faire une monocouche sur une surface présentant un très fort rapport d'aspect (des creux et des bosses). Notamment car la réaction de CVD se déroule directement à la surface, sur une monocouche de gaz précurseurs adsorbés.
Évaporation sous videLévaporation sous vide est une technique de dépôt de couche mince (généralement métallique), utilisée notamment dans la fabrication micro-électronique. Le matériau à déposer est évaporé sous vide dans une enceinte hermétique, le vide permettant aux particules d'atteindre directement le support où elles se recondensent à l'état solide. L'évaporation sous vide repose sur deux processus élémentaires : l'évaporation d'une source chauffée et la condensation à l’état solide de la matière évaporée sur le substrat.
Chimie organométalliqueLa chimie organométallique est l'étude des composés chimiques contenant une liaison covalente entre un métal et un atome de carbone situé dans un groupe organique. Elle combine des aspects de la chimie organique et de la chimie inorganique. 1827 Le sel de Zeise, nommé en l'honneur de William Christopher Zeise, est le premier complexe oléfines/platine. 1863 Charles Friedel et James Crafts préparent un organochlorosilane. 1890 Ludwig Mond découvre le carbonyle de nickel. 1899 Introduction de la réaction de Grignard.
TriméthylgalliumLe triméthylgallium (TMG), Ga(CH3)3, est un composé organométallique à base de gallium. C'est la source organométallique préférée en gallium pour l'épitaxie organométallique en phase vapeur (MOVPE) des composés semi-conducteur contenant du gallium, comme l'arséniure de gallium (GaAs), le nitrure de gallium (GaN), le phosphure de gallium (GaP), l'antimoniure de gallium (GaSb), l'arséniure de gallium-indium (GaInAs), le nitrure de gallium-indium (InGaN), etc. Le TMG est connu pour être pyrophorique, c.à.d.
Cratère de ChicxulubLe cratère de Chicxulub (tʃikʃulub ; maya : /tʃʼikʃuluɓ/) est un cratère d'impact situé à Chicxulub Puerto dans la péninsule du Yucatán au Mexique. Il a été provoqué par la collision d'un astéroïde de diamètre entre qui, selon les analyses radiométriques de haute précision réalisées en 2013, s’est abattu sur la Terre à la fin du printemps il y a d'années, date qui marque la fin du Crétacé et du Mésozoïque.
Histoire de l'écriturevignette|Six systèmes d'écriture majeurs de l'Histoire (de haut en bas et de gauche à droite) : pictogrammes sumériens, hiéroglyphes égyptiens, caractères chinois, cunéiforme persépolitain, alphabet latin et devanagari. L'histoire de l'écriture retrace l'évolution de l'expression du langage par des lettres ou des signes ainsi que les études et descriptions de ces développements.
Couche minceUne couche mince () est un revêtement dont l’épaisseur peut varier de quelques couches atomiques à une dizaine de micromètres. Ces revêtements modifient les propriétés du substrat sur lesquels ils sont déposés. Ils sont principalement utilisés : dans la fabrication de composants électroniques telles des cellules photovoltaïques en raison de leurs propriétés isolantes ou conductrices ; pour la protection d'objets afin d'améliorer les propriétés mécaniques, de résistance à l’usure, à la corrosion ou en servant de barrière thermique.
Cellule CIGSLe sigle CIGS (pour les éléments chimiques cuivre, indium, gallium et sélénium) désigne à la fois : une technique d'élaboration des cellules photovoltaïques en couches minces et de haute performance. le matériau semiconducteur fait d'un alliage permettant de réaliser ces cellules. Dans le CIGS, la concentration d'indium et de gallium peut varier entre du séléniure de cuivre et d'indium (CIS) pur, et du séléniure de cuivre et de gallium (CGS) pur. C’est un semi-conducteur à structure de chalcopyrite.
