Publication

Floating-potential self-assembly of singe-walled carbon nanotube field effect transistors by ac-dielectrophoresis

Résumé

An improved method for self-assembly fabrication of single-walled carbon nanotube (SWCNT) field effect transistors (FETs) is presented, combining the unique design of biased/floating potential electrode geometry and the technique of aligning CNTs by pre-defined trenches in "Sandwich"-like resist layers. Super-aligned SWCNT FETs bridging biased/floating potential electrode pairs with precisely controlled location can be demonstrated. Moreover, SWCNT FETs fabricated by this method exhibit excellent electrical properties, such as I-on/I-off ratio up to 10(5) and sub-threshold slope similar to 130 mV/dec. This novel technique provides a more effective and flexible way to solve the CNT assembly issue. It could also enable the fabrication of future CNT based complementary logic circuit and nano-electrical-mechanical-system (NEMS). (C) 2011 Elsevier B.V. All rights reserved.

À propos de ce résultat
Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.

Graph Chatbot

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.