Leakage mechanisms in InAlN based heterostructures
Publications associées (33)
Graph Chatbot
Chattez avec Graph Search
Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.
AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.
Junctions between n-type semiconductors of different electron affinity show rectification if the junction is abrupt enough. With the advent of 2D materials, we are able to realize thin van der Waals (vdW) heterostructures based on a large diversity of ma ...
We report a high-resolution core-level spectroscopy study of the (4 x 2)-c(8 x 2) GaAs(100) surface prepared by thermal decapping of surfaces grown by molecular-beam epitaxy. Ga and As 3d core levels are analyzed using very strict parameter conditions, and ...
Soft x-ray photoemission spectroscopy measurements reveal strong differences in chemical bonding and diffusion between II–VI and III–V compound semiconductor-metal interfaces which provide a chemical basis for their systematic differences in Schottky barri ...