Metal gateA metal gate, in the context of a lateral metal–oxide–semiconductor (MOS) stack, is the gate electrode separated by an oxide from the transistor's channel – the gate material is made from a metal. In most MOS transistors since about the mid 1970s, the "M" for metal has been replaced by a non-metal gate material. The first MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) was made by Mohamed Atalla and Dawon Kahng at Bell Labs in 1959, and demonstrated in 1960. They used silicon as channel material and a non-self-aligned aluminum gate.
Mémoire RAM non volatileUne mémoire RAM non volatile est une mémoire informatique qui est à la fois une mémoire RAM (qui permet l'accès direct à ses composantes) et une mémoire non volatile (qui ne perd pas son information lorsque l'alimentation électrique est interrompue). Différentes technologies ont été utilisées pour implanter la mémoire RAM non volatile. thumb|upright=0.8|Mémoire à tores de ferrite d'un CDC 6600 de 1961, capacité 1024 bits Les tores de ferrite utilisés jusqu'au début des années 1970 dans la construction des ordinateurs étaient une forme de mémoire RAM non volatile.
Transistor à effet de champUn transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.
Boîte quantiqueUne boîte quantique ou point quantique, aussi connu sous son appellation anglophone de quantum dot, est une nanostructure de semi-conducteurs. De par sa taille et ses caractéristiques, elle se comporte comme un puits de potentiel qui confine les électrons (et les trous) dans les trois dimensions de l'espace, dans une région d'une taille de l'ordre de la longueur d'onde des électrons (longueur d'onde de De Broglie), soit quelques dizaines de nanomètres dans un semi-conducteur.
Transistor bipolaire à grille isoléeLe transistor bipolaire à grille isolée (IGBT, de l’anglais en) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors qui est utilisé comme interrupteur électronique, principalement dans les montages de l’électronique de puissance. Ce composant, qui combine les avantages des technologies précédentes a permis de nombreux progrès dans les applications de l’électronique de puissance, aussi bien en ce qui concerne la fiabilité que sur l’aspect économique.
Quantum dot displayA quantum dot display is a display device that uses quantum dots (QD), semiconductor nanocrystals which can produce pure monochromatic red, green, and blue light. Photo-emissive quantum dot particles are used in LCD backlights or display color filters. Quantum dots are excited by the blue light from the display panel to emit pure basic colors, which reduces light losses and color crosstalk in color filters, improving display brightness and color gamut.
Mémoire à changement de phaseLa mémoire à changement de phase, ou PCM pour Phase Change Memory, ou encore PRAM pour Phase-Change RAM, est un type de mémoire non volatile s'appuyant sur la transition de phase de certains matériaux pour le stockage des informations, à l'instar des disques optiques réinscriptibles. Elle est présentée comme mémoire universelle car elle combine la vitesse et l’endurance de la mémoire vive (RAM) et la non-volatilité et le faible coût de la mémoire flash. Les premières PRAM ont été mises en vente en 2012 par Samsung.
Atomic layer depositionL’atomic layer deposition (ALD) est un procédé de dépôt de couches minces atomiques. Le principe consiste à exposer une surface successivement à différents précurseurs chimiques afin d'obtenir des couches ultra-minces. Il est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. L'énorme avantage de l'ALD est de pouvoir faire une monocouche sur une surface présentant un très fort rapport d'aspect (des creux et des bosses). Notamment car la réaction de CVD se déroule directement à la surface, sur une monocouche de gaz précurseurs adsorbés.
Silicium polycristallinLe silicium polycristallin, aussi couramment appelé polysilicium ou poly-Si est une forme particulière du silicium, qui se différencie du silicium monocristallin et du silicium amorphe. Contrairement au premier (composé d'un seul cristal) et au second (n'ayant aucune ou une très faible cohérence cristallographique), le silicium polycristallin est constitué de multiples petits cristaux de tailles et de formes variées, qui lui confèrent des propriétés différentes des deux autres formes.
Monocrystalline siliconMonocrystalline silicon, more often called single-crystal silicon, in short mono c-Si or mono-Si, is the base material for silicon-based discrete components and integrated circuits used in virtually all modern electronic equipment. Mono-Si also serves as a photovoltaic, light-absorbing material in the manufacture of solar cells. It consists of silicon in which the crystal lattice of the entire solid is continuous, unbroken to its edges, and free of any grain boundaries (i.e. a single crystal).
