Mémoire RAM non volatile

Une mémoire RAM non volatile est une mémoire informatique qui est à la fois une mémoire RAM (qui permet l'accès direct à ses composantes) et une mémoire non volatile (qui ne perd pas son information lorsque l'alimentation électrique est interrompue). Différentes technologies ont été utilisées pour implanter la mémoire RAM non volatile. thumb|upright=0.8|Mémoire à tores de ferrite d'un CDC 6600 de 1961, capacité 1024 bits Les tores de ferrite utilisés jusqu'au début des années 1970 dans la construction des ordinateurs étaient une forme de mémoire RAM non volatile. La mémoire FRAM ou mémoire FeRAM (Ferroelectric RAM) est un type de mémoire d'ordinateur non volatile. Elle est similaire à la mémoire DRAM à laquelle on a ajouté une couche ferro-électrique pour obtenir la non-volatilité. Par rapport aux mémoires flash utilisées actuellement, cette mémoire possèdera les avantages suivants : une plus faible consommation d'électricité ; une plus grande rapidité de lecture et d'écriture ; la possibilité d'être effacée et ré-écrite un bien plus grand nombre de fois. La mémoire MRAM (Magnetic Random Access Memory) est une mémoire non volatile de type magnétique. En développement depuis les années 90, cette technologie n'a jusqu'à présent jamais été commercialisée à grande échelle, notamment à cause de la concurrence des mémoires flash et DRAM. Le changement d'état se fait en changeant le spin des électrons (par effet tunnel notamment). Cette méthode de stockage possède les avantages suivants : la non-volatilité des informations ; une théorique inusabilité, puisqu'aucun mouvement électrique n'est engagé ; la consommation électrique est théoriquement moindre puisqu'il n'y a pas de perte thermique due à la résistance des matériaux aux mouvements des électrons. alliant rapidité, débit, capacité et non-volatilité, ce qui peut . La mémoire NRAM ou mémoire Nano-RAM est un type de mémoire d'ordinateur non volatile à l'état de recherche et développement. Le fonctionnement de la mémoire NRAM est basée sur la position des nanotubes de carbone sur un substrat semblable à un circuit intégré.