Failure of electronic componentsElectronic components have a wide range of failure modes. These can be classified in various ways, such as by time or cause. Failures can be caused by excess temperature, excess current or voltage, ionizing radiation, mechanical shock, stress or impact, and many other causes. In semiconductor devices, problems in the device package may cause failures due to contamination, mechanical stress of the device, or open or short circuits. Failures most commonly occur near the beginning and near the ending of the lifetime of the parts, resulting in the bathtub curve graph of failure rates.
Haute tensionLa haute tension est un terme qui caractérise, selon des normes européennes, les valeurs de la tension électrique supérieures à en courant alternatif et en courant continu. En France, on distingue deux domaines de hautes tensions : le domaine haute tension A (ou HTA)), concerne les installations électriques dans lesquelles la tension : excède sans dépasser en courant alternatif, ou excède sans dépasser en courant continu ; le domaine haute tension B (ou HTB) concerne les installations électriques dans lesquelles la tension : excède en courant alternatif, ou excède en courant continu.
WaferEn électronique, un wafer (littéralement en français « tranche ») est une tranche ou une plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin utilisée pour fabriquer des composants de microélectronique. En français, les termes de « tranche », « plaque » (voire, « plaquette ») ou « galette » sont également utilisés. Cependant, l'usage de l'anglais est très répandu dans les unités de fabrication de semi-conducteurs et dans le langage des ingénieurs.
Transistor à effet de champ à grille métal-oxydethumb|right|235px|Photographie représentant deux MOSFET et une allumette Un transistor à effet de champ à grille isolée plus couramment nommé MOSFET (acronyme anglais de metal-oxide-semiconductor field-effect transistor — qui se traduit par transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semiconducteur), est un type de transistor à effet de champ. Comme tous les transistors, le MOSFET module le courant qui le traverse à l'aide d'un signal appliqué sur son électrode nommée grille.
Convection–diffusion equationThe convection–diffusion equation is a combination of the diffusion and convection (advection) equations, and describes physical phenomena where particles, energy, or other physical quantities are transferred inside a physical system due to two processes: diffusion and convection. Depending on context, the same equation can be called the advection–diffusion equation, drift–diffusion equation, or (generic) scalar transport equation.
Cratère d'impactUn cratère d'impact est une dépression de forme plus ou moins circulaire issue de la collision d'un objet sur un autre de taille suffisamment grande pour qu'il ne soit pas complètement détruit par l'impact. Quand la dépression est beaucoup moins profonde que large, on parle d'un bassin d'impact. L'expression est particulièrement utilisée en astronomie pour désigner la dépression résultant d'un impact cosmique, c'est-à-dire de la collision d'objets célestes (un astéroïde ou une comète) percutant la Terre, la Lune ou tout autre corps solide se mouvant dans l'espace et suffisamment gros pour que la puissance de l'impact ne cause pas sa destruction.
Self-aligned gateUne self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par « grille auto-alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, très dopée, est utilisée en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent. Grâce à cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET. La technique de self-aligned gate est née en 1966, et fut brevetée aux États-Unis en . Fa
Appareillage électrique à haute tensionL'appareillage électrique à haute tension est l'ensemble des appareils électriques qui permettent la mise sous ou hors tension de portions d'un réseau électrique à haute tension (y compris pour des opérations de délestage). L’appareillage électrique est un élément essentiel qui permet d’obtenir la protection et une exploitation sûre et sans interruption d’un réseau à haute tension. Ce type de matériel est très important dans la mesure où de multiples activités nécessitent de disposer d'une alimentation en électricité qui soit permanente et de qualité.
Complementary metal oxide semi-conductorvignette|Vue en coupe d'un transistor MOS On appelle CMOS, ou Complementary Metal Oxide Semiconductor, une technologie de fabrication de composants électroniques et, par extension, les composants fabriqués selon cette technologie. Ce sont pour la plupart des circuits logiques (NAND, NOR) comme ceux de la famille Transistor-Transistor logic (TTL) mais, à la différence de ces derniers, ils peuvent être aussi utilisés comme résistance variable.
Web-based simulationWeb-based simulation (WBS) is the invocation of computer simulation services over the World Wide Web, specifically through a web browser. Increasingly, the web is being looked upon as an environment for providing modeling and simulation applications, and as such, is an emerging area of investigation within the simulation community. Web-based simulation is used in several contexts: In e-learning, various principles can quickly be illustrated to students by means of interactive computer animations, for example during lecture demonstrations and computer exercises.
