Publication

Evolution of oxygen vacancies under electrical characterization for HfOx-based ReRAMs

Résumé

Recently, studies on ReRAMs and their reliability have received increased attention. The reliability issue is due to the nature of oxygen vacancies behaviour under biasing conditions which necessitate further studies to achieve an in-depth understanding. In this work, we fabricated several HfOx ReRAM devices with different structure, material, and thickness, followed by a study of their electrical characteristics under DC biasing. We show an improvement in the switching parameters through engineering of the device structure. Moreover, we demonstrate a certain required thickness for the oxide layer for the ease of oxygen vacancies relocations, thinner oxide layer led to the common ReRAMs performance failure in the low resistance state.

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En biochimie, la structure tertiaire ou tridimensionnelle est le repliement dans l'espace d'une chaîne polypeptidique. Ce repliement donne sa fonctionnalité à la protéine, notamment par la formation du site actif des enzymes. . La structure tertiaire correspond au degré d'organisation supérieur aux hélices α ou aux feuillets β. Ces protéines possèdent des structures secondaires associées le long de la chaîne polypeptidique. Le repliement et la stabilisation de protéines à structure tertiaire dépend de plusieurs types de liaisons faibles qui stabilisent l'édifice moléculaire.
Ingénierie de fiabilité
L'ingénierie de fiabilité est un domaine de l'ingénierie, qui traite de l'étude, de l'évaluation et du Product Lifecycle Management de la fiabilité : l'habilité d'un système ou d'un composant à remplir ses fonctions exigées dans des conditions déterminées pour une période de temps déterminé. L'ingénierie de fiabilité est une sous-discipline au sein de l'ingénierie des systèmes. La fiabilité est souvent mesurée en probabilité de défaillance, fréquence de défaillance, ou en termes de disponibilité, une probabilité dérivée de la fiabilité et de la maintenabilité.
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