Resolving the spin splitting in the conduction band of monolayer MoS2
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We examine the injection of electron spins from ferromagnets (F) into quasi-two-dimensional electron systems (2DES’s) of semiconductors and employ the transfer-matrix formalism to obtain the carrier-density dependence of the conductances across F/InAs(2DES ...
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We present the results of high magnetic field (up to 30 T) and temperature (50 mK-80 K) dependent transport measurements on a 2DEG in GaN/AlGaN heterojunctions. A high mobility (above 60000 cm(2) V-1 s(-1) at 4 K) 2DEG was obtained by MBE growth of disloca ...
