Characterization and Modeling of 28 nm Bulk CMOS Technology down to Cryogenic Temperatures (4.2 K)
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Boltzmann electron energy distribution poses a fundamental limit to lowering the energy dissipation of conventional MOS devices, a minimum increase of the gate voltage, i.e. 60 mV, is required for a 10-fold increase in drain-to-source current at 300 K. Neg ...
