Laser engravingLaser engraving is the practice of using lasers to engrave an object. Laser marking, on the other hand, is a broader category of methods to leave marks on an object, which in some cases, also includes color change due to chemical/molecular alteration, charring, foaming, melting, ablation, and more. The technique does not involve the use of inks, nor does it involve tool bits which contact the engraving surface and wear out, giving it an advantage over alternative engraving or marking technologies where inks or bit heads have to be replaced regularly.
Diode laserUne diode laser est un composant opto-électronique à base de matériaux semi-conducteurs. Elle émet de la lumière monochromatique cohérente (une puissance optique) destinée, entre autres, à transporter un signal contenant des informations sur de longues distances (dans le cas d'un système de télécommunications) ou à apporter de l'énergie lumineuse pour le pompage de certains lasers (lasers à fibre, laser DPSS) et amplificateurs optiques (OFA, Optical Fiber Amplifier).
Ablation laserL'ablation laser est une technique utilisée pour la production de nanoparticules, certaines méthodes d'analyses de matériaux et/ou pour produire un dépôt en couche mince atomique. L' ablation laser complète ici la gamme des méthodes de dépôt physique de couches minces, telles l'évaporation, la pulvérisation cathodique ou le procédé sol-gel. Un faisceau laser pulsé est focalisé sur une cible constituée du matériau à déposer. L'interaction cible-faisceau entraîne l'arrachage de la matière constituant la cible, par pulvérisation, évaporation, voire fracturation mécanique.
Third-generation photovoltaic cellThird-generation photovoltaic cells are solar cells that are potentially able to overcome the Shockley–Queisser limit of 31–41% power efficiency for single bandgap solar cells. This includes a range of alternatives to cells made of semiconducting p-n junctions ("first generation") and thin film cells ("second generation"). Common third-generation systems include multi-layer ("tandem") cells made of amorphous silicon or gallium arsenide, while more theoretical developments include frequency conversion, (i.e.
Pérovskite (structure)La pérovskite, du nom du minéralogiste russe L. A. Perovski, est une structure cristalline commune à de nombreux oxydes. Ce nom a d'abord désigné le titanate de calcium de formule CaTiO, avant d'être étendu à l'ensemble des oxydes de formule générale ABO présentant la même structure. Les pérovskites présentent un grand intérêt en raison de la très grande variété de propriétés que présentent ces matériaux selon le choix des éléments A et B : ferroélasticité (par exemple ), ferroélectricité (par exemple ), antiferroélectricité (par exemple PbZrO), ferromagnétisme (par exemple YTiO), antiferromagnétisme (LaTiO) La structure pérovskite de plus haute symétrie est une structure de symétrie cubique.
Laser printingLaser printing is an electrostatic digital printing process. It produces high-quality text and graphics (and moderate-quality photographs) by repeatedly passing a laser beam back and forth over a negatively charged cylinder called a "drum" to define a differentially charged image. The drum then selectively collects electrically charged powdered ink (toner), and transfers the image to paper, which is then heated to permanently fuse the text, imagery, or both, to the paper.
Laser à excimèreUn laser à excimère, parfois appelé (et de façon souvent plus appropriée) laser à exciplexe, est un type de laser ultraviolet couramment utilisé en chirurgie oculaire et en photolithographie dans l'industrie des semiconducteurs. Un excimère est un dimère qui n'est stable qu'à l'état excité et se dissocie à l'état fondamental, tandis qu'un exciplexe est un complexe qui n'est stable qu'à l'état excité et se dissocie à l'état fondamental ; un excimère est donc un cas particulier d'exciplexe.
Laser drillingLaser drilling is the process of creating thru-holes, referred to as “popped” holes or “percussion drilled” holes, by repeatedly pulsing focused laser energy on a material. The diameter of these holes can be as small as 0.002” (~50 μm). If larger holes are required, the laser is moved around the circumference of the “popped” hole until the desired diameter is created. Laser drilling is one of the few techniques for producing high-aspect-ratio holes—holes with a depth-to-diameter ratio much greater than 10:1.
Cellule CIGSLe sigle CIGS (pour les éléments chimiques cuivre, indium, gallium et sélénium) désigne à la fois : une technique d'élaboration des cellules photovoltaïques en couches minces et de haute performance. le matériau semiconducteur fait d'un alliage permettant de réaliser ces cellules. Dans le CIGS, la concentration d'indium et de gallium peut varier entre du séléniure de cuivre et d'indium (CIS) pur, et du séléniure de cuivre et de gallium (CGS) pur. C’est un semi-conducteur à structure de chalcopyrite.
Module projectifEn mathématiques, un module projectif est un module P (à gauche par exemple) sur un anneau A tel que pour tout morphisme surjectif f : N → M entre deux A-modules (à gauche) et pour tout morphisme g : P → M, il existe un morphisme h : P → N tel que g = fh, c'est-à-dire tel que le diagramme suivant commute : center Autrement dit : P est projectif si pour tout module N, tout morphisme de P vers un quotient de N se factorise par N.
