Publication

Photorécepteurs 1,3-1,55 µm obtenus par intégration monolithique de photodiodes p-i-n et de transistors HEMT

Publications associées (239)

À propos
Confidentialité
Mentions légales

Graph Chatbot

Chattez avec Graph Search

Posez n’importe quelle question sur les cours, conférences, exercices, recherches, actualités, etc. de l’EPFL ou essayez les exemples de questions ci-dessous.

AVERTISSEMENT : Le chatbot Graph n'est pas programmé pour fournir des réponses explicites ou catégoriques à vos questions. Il transforme plutôt vos questions en demandes API qui sont distribuées aux différents services informatiques officiellement administrés par l'EPFL. Son but est uniquement de collecter et de recommander des références pertinentes à des contenus que vous pouvez explorer pour vous aider à répondre à vos questions.

Connectez-vous pour utiliser Chat avec Graph Search

Photorécepteurs 1,3-1,55 µm obtenus par intégration monolithique de photodiodes p-i-n et de transistors HEMT

Graph Chatbot

Chattez avec Graph Search

Optical properties of nearly lattice-matched GaN/(Al,In)N quantum wells

Plasmonic nanohole arrays on Si-Ge heterostructures: An approach for integrated biosensors

Technology of integrated self-aligned E/D-mode n(++)GaN/InAlN/AlN/GaN MOS HEMTs for mixed-signal electronics

Single Photon Counting UV Solar-Blind Detectors Using Silicon and III-Nitride Materials

Self-formation of hexagonal nanotemplates for growth of pyramidal quantum dots by metalorganic vapor phase epitaxy on patterned substrates

CMOS-Compatible PureGaB Ge-on-Si APD Pixel Arrays

GaN-based superluminescent diodes with long lifetime

Leakage mechanisms and contact technologies in InAlN/GaN high electron mobility transistors

Towards defect-free 1-D GaAs/AlGaAs heterostructures based on GaAs nanomembranes

Optimization of NH₃-MBE grown p-doped (Al)GaN layers and their implementation in long wavelength laser diodes and tunnel junctions