High voltage devices for standard MOS technologies
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In this letter, we present normally-off GaN-on-Si MOSFETs based on the combination of tri-gate with a short barrier recess to yield a large positive threshold voltage (VTH), while maintaining a low specific on resistance (RON,SP) and high current density ( ...
Boltzmann electron energy distribution poses a fundamental limit to lowering the energy dissipation of conventional MOS devices, a minimum increase of the gate voltage, i.e. 60 mV, is required for a 10-fold increase in drain-to-source current at 300 K. Neg ...
This paper presents a physics-based model for the threshold voltage in bulk MOSFETs valid from room down to cryogenic temperature (4.2 K). The proposed model is derived from Poisson's equation including bandgap widening, intrinsic carrier-density scaling, ...