Publication
Strong electron-electron and electron-phonon interactions in one- and two-dimensional solids
Résumé
We discuss the spectral signatures of strong electronic correlations and electron-phonon interactions in two representative low-dimensional systems. In the 2D compound 1T-TaSe2 a charge-density-wave (CDW) induces a narrowing of the conduction band, which triggers a surface metal-insulator (M-I) transition and the disappearance of the quasiparticle (QP) features. In the 1D blue bronze K0.3MoO3 strong interaction with the lattice lead to pseudogapped polaronic lineshapes, and the large mass renormalization masks the signatures of electronic correlations. (C) 2004 Elsevier B.V All rights reserved.
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Proximité ontologique
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Corrélation électronique
Dans les calculs quantique de structure électronique, le terme de corrélation électronique décrit une part de l'énergie d'interaction entre électrons lié à leur influence mutuelle. Ce terme d’interaction représente la différence entre une solution Hartree Fock (sur une base de déterminants de Slater, antisymétrisée vis-à-vis de l'échange de 2 électrons) et la solution exacte du problème (voir figure ci-dessous). Dans la méthode de Hartree-Fock en chimie quantique, la fonction d'onde antisymétrique est approximée par un seul déterminant de Slater.
Valence and conduction bands
In solid-state physics, the valence band and conduction band are the bands closest to the Fermi level, and thus determine the electrical conductivity of the solid. In nonmetals, the valence band is the highest range of electron energies in which electrons are normally present at absolute zero temperature, while the conduction band is the lowest range of vacant electronic states. On a graph of the electronic band structure of a semiconducting material, the valence band is located below the Fermi level, while the conduction band is located above it.
Isolant de Mott
Les isolants de Mott sont des matériaux présentant une phase conductrice, avec une structure de bande électronique (voir théorie des bandes) délocalisée sur tout le réseau cristallin, et pouvant devenir isolant du fait d'une forte interaction répulsive entre électrons, entrainant leur localisation sur les noyaux atomiques. Dans un solide, lorsque les interactions répulsives entre les électrons d'un métal deviennent trop fortes, il peut se produire une "localisation" des électrons qui restent "accrochés" aux atomes constituant le réseau cristallin.
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