Publication
MBE growth of AlGaN/GaN HEMTS on resistive Si(111) substrate with RF small signal and power performances
Résumé
In this paper, we report on the properties of GaN films and AlGaN/GaN HEMT structures grown by molecular beam epitaxy on resistive Si(1 1 1) substrates. The properties of the GaN buffer layer and the AlGaN/GaN HEMTs are presented. Finally, both static and high-frequency performances of sub-micron gate length devices are analyzed demonstrating their RF power capability. (C) 2002 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Source officielle
À propos de ce résultat
Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.