Quasi Fermi levelA quasi Fermi level (also called imref, which is "fermi" spelled backwards) is a term used in quantum mechanics and especially in solid state physics for the Fermi level (chemical potential of electrons) that describes the population of electrons separately in the conduction band and valence band, when their populations are displaced from equilibrium. This displacement could be caused by the application of an external voltage, or by exposure to light of energy , which alter the populations of electrons in the conduction band and valence band.
Modèle d'EinsteinEn physique statistique et en physique du solide, le modèle d’Einstein est un modèle permettant de décrire la contribution des vibrations du réseau à la capacité calorifique d’un solide cristallin. Il est basé sur les hypothèses suivantes : chaque atome de la structure est un oscillateur harmonique quantique 3D, les atomes vibrent à la même fréquence, contrairement au modèle de Debye. Ce modèle est nommé d’après Albert Einstein, qui l'a proposé en 1907.
Pseudo-potentielEn chimie quantique, les méthodes de description par (ou ) sont un ensemble de méthodes visant à substituer le potentiel d’interaction coulombien du noyau et les effets des électrons dits « de cœur », considérés comme fortement liés, par un potentiel effectif interagissant uniquement avec les électrons dits « de valence ». Cette approximation présente un grand intérêt dans le calcul théorique de la structure électronique de la matière, car elle permet de ne traiter explicitement que les électrons de faible énergie (qui sont constitutifs, par exemple, de liaisons chimiques) et crée ainsi un gain important des ressources informatiques nécessaires aux calculs.
Strained siliconStrained silicon is a layer of silicon in which the silicon atoms are stretched beyond their normal interatomic distance. This can be accomplished by putting the layer of silicon over a substrate of silicon–germanium (). As the atoms in the silicon layer align with the atoms of the underlying silicon germanium layer (which are arranged a little farther apart, with respect to those of a bulk silicon crystal), the links between the silicon atoms become stretched - thereby leading to strained silicon.
Courant de fuiteEn électronique, le courant de fuite est un courant qui s'écoule à travers un chemin non prévu, sauf un court-circuit. Les courants de fuite causent une perte progressive de la charge électrique d'un condensateur ou d'une pile électrique. Des dispositifs électroniques fixés à des condensateurs, tels que des transistors ou des diodes laissent passer une petite quantité de courant électrique, même quand ils sont en position fermée.
Saturation velocitySaturation velocity is the maximum velocity a charge carrier in a semiconductor, generally an electron, attains in the presence of very high electric fields. When this happens, the semiconductor is said to be in a state of velocity saturation. Charge carriers normally move at an average drift speed proportional to the electric field strength they experience temporally. The proportionality constant is known as mobility of the carrier, which is a material property.
PolaritonLes polaritons sont des quasiparticules issues du couplage fort entre une onde lumineuse et une onde de polarisation électrique. Plusieurs cas de figure sont possibles : L'onde de polarisation est un phonon optique, c’est-à-dire essentiellement l'oscillation mécanique de deux atomes de charge opposée à l'intérieur d'un cristal. Les polaritons phononiques ont été beaucoup étudiés par la spectroscopie Raman dans les années 1970 - 80 et ont permis de mesurer la constante diélectrique à haute fréquence dans les semiconducteurs.
Local-density approximationLocal-density approximations (LDA) are a class of approximations to the exchange–correlation (XC) energy functional in density functional theory (DFT) that depend solely upon the value of the electronic density at each point in space (and not, for example, derivatives of the density or the Kohn–Sham orbitals). Many approaches can yield local approximations to the XC energy. However, overwhelmingly successful local approximations are those that have been derived from the homogeneous electron gas (HEG) model.
Schottky defectA Schottky defect is an excitation of the site occupations in a crystal lattice leading to point defects named after Walter H. Schottky. In ionic crystals, this defect forms when oppositely charged ions leave their lattice sites and become incorporated for instance at the surface, creating oppositely charged vacancies. These vacancies are formed in stoichiometric units, to maintain an overall neutral charge in the ionic solid. Schottky defects consist of unoccupied anion and cation sites in a stoichiometric ratio.
Dennard scalingIn semiconductor electronics, Dennard scaling, also known as MOSFET scaling, is a scaling law which states roughly that, as transistors get smaller, their power density stays constant, so that the power use stays in proportion with area; both voltage and current scale (downward) with length. The law, originally formulated for MOSFETs, is based on a 1974 paper co-authored by Robert H. Dennard, after whom it is named. Dennard's model of MOSFET scaling implies that, with every technology generation: Transistor dimensions could be scaled by −30% (0.
