Dioxyde de siliciumLe dioxyde de silicium, ou silice, est un composé chimique de formule . Il s'agit d'un solide incolore présent en abondance dans le milieu naturel et chez divers êtres vivants. Il existe à l'état libre sous différentes formes cristallines ou amorphes, et combiné chimiquement avec d'autres oxydes dans les silicates, qui sont les principaux constituants de l'écorce terrestre et du manteau terrestre. Libre ou combiné, il représente 60,6 % de la masse de la croûte continentale.
Two-dimensional electron gasA two-dimensional electron gas (2DEG) is a scientific model in solid-state physics. It is an electron gas that is free to move in two dimensions, but tightly confined in the third. This tight confinement leads to quantized energy levels for motion in the third direction, which can then be ignored for most problems. Thus the electrons appear to be a 2D sheet embedded in a 3D world. The analogous construct of holes is called a two-dimensional hole gas (2DHG), and such systems have many useful and interesting properties.
Bose gasAn ideal Bose gas is a quantum-mechanical phase of matter, analogous to a classical ideal gas. It is composed of bosons, which have an integer value of spin, and abide by Bose–Einstein statistics. The statistical mechanics of bosons were developed by Satyendra Nath Bose for a photon gas, and extended to massive particles by Albert Einstein who realized that an ideal gas of bosons would form a condensate at a low enough temperature, unlike a classical ideal gas. This condensate is known as a Bose–Einstein condensate.
Fonction de Wannier250px|thumb|Exemple de fonction de Wannier dans le titanate de baryum. Les fonctions de Wannier constituent un ensemble complet de fonctions orthogonales utilisé en physique du solide. Elles ont été introduites dans la discipline par le physicien suisse Gregory Wannier. Les fonctions de Wannier pour différents sites d'un réseau cristallin sont orthogonales, constituant une base ad-hoc pour le développement des états électroniques dans certains régimes.
Loi de Wiedemann et FranzLa loi de Wiedemann-Franz est une relation entre la conductivité électrique et la conductivité thermique d'un métal. Elle est nommée d'après le travail de Gustav Heinrich Wiedemann et de Rudolph Franz effectué en 1853. Selon la loi de Wiedemann-Franz, dans un métal de conductivité électrique et de conductivité thermique , le rapport est indépendant de la température. Il est appelé constante de Lorenz ou rapport de Wiedemann-Franz.
Threshold voltageThe threshold voltage, commonly abbreviated as Vth or VGS(th), of a field-effect transistor (FET) is the minimum gate-to-source voltage (VGS) that is needed to create a conducting path between the source and drain terminals. It is an important scaling factor to maintain power efficiency. When referring to a junction field-effect transistor (JFET), the threshold voltage is often called pinch-off voltage instead.
Subthreshold conductionSubthreshold conduction or subthreshold leakage or subthreshold drain current is the current between the source and drain of a MOSFET when the transistor is in subthreshold region, or weak-inversion region, that is, for gate-to-source voltages below the threshold voltage. The amount of subthreshold conduction in a transistor is set by its threshold voltage, which is the minimum gate voltage required to switch the device between on and off states.
Quasi-momentEn physique du solide, et notamment des matériaux conducteurs, on appelle quasi-moment la quantité de mouvement associée au vecteur d'onde des électrons dans le réseau réciproque d'un réseau cristallin par la formule : où est la constante de Planck réduite. À l'instar de la quantité de mouvement de la mécanique, le quasi-moment est généralement conservé lors des interactions entre particules dans le réseau cristallin, ce qui en fait un outil important pour la modélisation des phénomènes physiques qui s'y déroulent.
Deep-level transient spectroscopyDeep-level transient spectroscopy (DLTS) is an experimental tool for studying electrically active defects (known as charge carrier traps) in semiconductors. DLTS establishes fundamental defect parameters and measures their concentration in the material. Some of the parameters are considered as defect "finger prints" used for their identifications and analysis. DLTS investigates defects present in a space charge (depletion) region of a simple electronic device. The most commonly used are Schottky diodes or p-n junctions.
Lacune (cristallographie)right|thumb|Une lacune dans un cristal En cristallographie, une lacune est un type de défaut ponctuel du cristal dû à l'absence d'un atome sur un site normalement occupé. La présence de lacunes permet (entre autres) d'expliquer les phénomènes de diffusion dans les matériaux. Son observation directe a été obtenue par quelques techniques de microscopie mais la caractérisation pratique de ces défauts ne se fait généralement qu'à travers ses effets sur les matériaux : changement de dimension, distorsion du réseau cristallin, modifications des propriétés électriques.
