Électronique de puissancevignette|Un thyristor 100 ampères/800 volts en boîtier à vis et un thyristor / en boîtier TO-220. vignette|Valves de la ligne HVDC Nelson River DC Transmission System. L'électronique de puissance est une branche de l'électronique et de l'électrotechnique qui traite les puissances élevées et (convertisseurs) et de les commuter, avec ou sans commande de cette puissance. L'électronique de puissance comprend l'étude, la réalisation et la maintenance : des composants électroniques utilisés en forte puissance ; des structures, de la commande et des applications des convertisseurs d’énergie.
ThyristorUn thyristor est un interrupteur électronique semi-conducteur à l'état solide constitué de quatre couches, alternativement dopées N et P. C'est un des composants essentiels de l'électronique de puissance. Il tire son nom du grec thura qui signifie porte et du suffixe « istor » qui provient du mot transistor. Il se comporte comme une bascule synchrone, c'est-à-dire qu'il reste commandé à l'allumage, par la gâchette (g), mais pas à l'extinction qui est provoquée par le passage du courant principal I à une valeur inférieure au courant de maintien I.
Power semiconductor deviceA power semiconductor device is a semiconductor device used as a switch or rectifier in power electronics (for example in a switch-mode power supply). Such a device is also called a power device or, when used in an integrated circuit, a power IC. A power semiconductor device is usually used in "commutation mode" (i.e., it is either on or off), and therefore has a design optimized for such usage; it should usually not be used in linear operation. Linear power circuits are widespread as voltage regulators, audio amplifiers, and radio frequency amplifiers.
Silicon controlled rectifierA silicon controlled rectifier or semiconductor controlled rectifier is a four-layer solid-state current-controlling device. The name "silicon controlled rectifier" is General Electric's trade name for a type of thyristor. The principle of four-layer p–n–p–n switching was developed by Moll, Tanenbaum, Goldey, and Holonyak of Bell Laboratories in 1956. The practical demonstration of silicon controlled switching and detailed theoretical behavior of a device in agreement with the experimental results was presented by Dr Ian M.
Transistor à effet de champUn transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.
Variateur électronique de vitessethumb|Petit variateur de vitesse thumb|Électronique du variateur de vitesse ci-dessus Un variateur électronique de vitesse (en anglais, variable frequency drive ou VFD) est un dispositif destiné à régler la vitesse et le couple d'un moteur électrique à courant alternatif en faisant varier respectivement la fréquence et la tension, délivrées à la sortie de celui-ci. Leurs applications vont des plus petits aux plus grands moteurs, comme ceux utilisés par les perceuses.
ThyratronUn thyratron est un type de tube à gaz utilisé comme interrupteur pour les fortes puissances. Ce tube peut prendre la forme d'une triode, d'une tétrode ou d'une pentode, bien que la plupart soient des triodes. Les gaz utilisés peuvent aller de la vapeur de mercure au xénon ou au néon, en passant par l'hydrogène (surtout dans les applications hautes tensions ou les applications nécessitant des temps de commutation très courts). Contrairement aux tubes électroniques classiques, un thyratron ne peut amplifier un signal linéairement.
Composant électroniqueUn composant électronique est un élément destiné à être assemblé avec d'autres afin de réaliser une ou plusieurs fonctions électroniques. Les composants forment de très nombreux types et catégories, ils répondent à divers standards de l'industrie aussi bien pour leurs caractéristiques électriques que pour leurs caractéristiques géométriques. Leur assemblage est préalablement défini par un schéma d'implantation d'un circuit électronique. alt=Un transistor, composant actif, boîtier ouvert.
Bobine Teslathumb|Bobine Tesla (Nikola Tesla Memorial Centre, Smiljan, Croatie). La bobine Tesla, ou transformateur de Tesla, est une machine électrique fonctionnant avec du courant alternatif à haute fréquence et permettant de produire de très hautes tensions. Elle porte le nom de son inventeur, Nikola Tesla, qui l'a mise au point vers 1891. L'appareil consiste en deux ou trois circuits de bobinage couplés et accordés par résonance. Il n'y a pas de noyau métallique comme dans les transformateurs électriques classiques : c'est un transformateur à noyau d'air.
Composant semi-conducteurvignette|Aperçu de quelques dispositifs semi-conducteurs encapsulés Un composant semi-conducteur est un composant électronique dont le fonctionnement repose sur les propriétés électroniques d'un matériau semi-conducteur (principalement le silicium, le germanium et l'arséniure de gallium, ainsi que des semi-conducteurs organiques). Sa conductivité se situe entre les conducteurs et les isolants. Les composants semi-conducteurs ont remplacé les tubes à vide dans la plupart des applications.
