In solid-state physics, a metal–semiconductor (M–S) junction is a type of electrical junction in which a metal comes in close contact with a semiconductor material. It is the oldest practical semiconductor device. M–S junctions can either be rectifying or non-rectifying. The rectifying metal–semiconductor junction forms a Schottky barrier, making a device known as a Schottky diode, while the non-rectifying junction is called an ohmic contact. (In contrast, a rectifying semiconductor–semiconductor junction, the most common semiconductor device today, is known as a p–n junction.) Metal–semiconductor junctions are crucial to the operation of all semiconductor devices. Usually an ohmic contact is desired, so that electrical charge can be conducted easily between the active region of a transistor and the external circuitry. Occasionally however a Schottky barrier is useful, as in Schottky diodes, Schottky transistors, and metal–semiconductor field effect transistors. Whether a given metal-semiconductor junction is an ohmic contact or a Schottky barrier depends on the Schottky barrier height, ΦB, of the junction. For a sufficiently large Schottky barrier height, that is, ΦB is significantly higher than the thermal energy kT, the semiconductor is depleted near the metal and behaves as a Schottky barrier. For lower Schottky barrier heights, the semiconductor is not depleted and instead forms an ohmic contact to the metal. The Schottky barrier height is defined differently for n-type and p-type semiconductors (being measured from the conduction band edge and valence band edge, respectively). The alignment of the semiconductor's bands near the junction is typically independent of the semiconductor's doping level, so the n-type and p-type Schottky barrier heights are ideally related to each other by: where Eg is the semiconductor's band gap. In practice, the Schottky barrier height is not precisely constant across the interface, and varies over the interfacial surface.

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Contact ohmique
vignette|481x481px|Schéma de bandes du métal et du semi-conducteur en interaction où Φm
Anderson's rule
Anderson's rule is used for the construction of energy band diagrams of the heterojunction between two semiconductor materials. Anderson's rule states that when constructing an energy band diagram, the vacuum levels of the two semiconductors on either side of the heterojunction should be aligned (at the same energy). It is also referred to as the electron affinity rule, and is closely related to the Schottky–Mott rule for metal–semiconductor junctions. Anderson's rule was first described by R. L. Anderson in 1960.
Travail de sortie
En physique, en mécanique quantique, le travail de sortie ou travail d'extraction est l'énergie minimum, mesurée en électron-volts, nécessaire pour arracher un électron depuis le niveau de Fermi d'un métal jusqu'à un point situé à l'infini en dehors du métal (niveau du vide). Le travail de sortie est approximativement la moitié de l'énergie d'ionisation d'un atome libre du même métal. L'effet photoélectrique consiste en une libération d'un électron lorsqu'un photon doté d'une énergie supérieure au travail de sortie arrive sur le métal.
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