Concept
Contact ohmique
vignette|481x481px|Schéma de bandes du métal et du semi-conducteur en interaction où Φm
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EE-567: Semiconductor devices II
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Discute des protocoles expérimentaux, des zones de contact, de la résistance de jonction et des simulations LT-SPI.
Jonction métal-semiconducteur: Physique Vue d'ensemble
Fournit une vue d'ensemble de la physique des jonctions métal-semiconducteur, y compris la fonction de travail, la barrière Schottky, les contacts Ohmic et les hétérojonctions.
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Polarization-enhanced GaN Schottky barrier diodes: Ultra-thin InGaN for high breakdown voltage and low Ron
Elison de Nazareth Matioli, Alessandro Floriduz, Zheng Hao
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2024Understanding and mitigating resistive losses in fired passivating contacts: role of the interfaces and optimization of the thermal budget
Christophe Ballif, Franz-Josef Haug, Aïcha Hessler-Wyser, Audrey Marie Isabelle Morisset, Julien Hurni, Ezgi Genç, Luca Massimiliano Antognini, Sofia Libraro
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Amsterdam2023New ultrahigh-speed device concepts: from THz nanoplasma devices to glass-like electronics for neuromorphic computation
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There is a never-ending push for electronic systems to provide faster operation speeds, higher energy efficiencies, and higher power capabilities at smaller scales. These requirements are apparent in different areas of electronics, from radiofrequency (RF) ...
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Metal–semiconductor junction
In solid-state physics, a metal–semiconductor (M–S) junction is a type of electrical junction in which a metal comes in close contact with a semiconductor material. It is the oldest practical semiconductor device. M–S junctions can either be rectifying or non-rectifying. The rectifying metal–semiconductor junction forms a Schottky barrier, making a device known as a Schottky diode, while the non-rectifying junction is called an ohmic contact.
Transistor à effet de champ
Un transistor à effet de champ (en anglais, Field-effect transistor ou FET) est un dispositif semi-conducteur de la famille des transistors. Sa particularité est d'utiliser un champ électrique pour contrôler la forme et donc la conductivité d'un « canal » dans un matériau semiconducteur. Il concurrence le transistor bipolaire dans de nombreux domaines d'applications, tels que l'électronique numérique. Le premier brevet sur le transistor à effet de champ a été déposé en 1925 par Julius E. Lilienfeld.
Panneau photovoltaïque à concentration
Un panneau photovoltaïque à concentration, parfois simplement dénommé « panneau à concentration » est un module solaire photovoltaïque composé d'une série de dispositifs optiques de concentration de la lumière (lentilles ou miroirs) sur des cellules photovoltaïques (qui doivent être refroidies si le taux de concentration est élevé). Le composant le plus cher d'un module est - de loin - la cellule photovoltaïque.