Résumé
The Czochralski method, also Czochralski technique or Czochralski process, is a method of crystal growth used to obtain single crystals of semiconductors (e.g. silicon, germanium and gallium arsenide), metals (e.g. palladium, platinum, silver, gold), salts and synthetic gemstones. The method is named after Polish scientist Jan Czochralski, who invented the method in 1915 while investigating the crystallization rates of metals. He made this discovery by accident: instead of dipping his pen into his inkwell, he dipped it in molten tin, and drew a tin filament, which later proved to be a single crystal. The method is still used in over 90 percent of all electronics in the world that use semiconductors. The most important application may be the growth of large cylindrical ingots, or boules, of single crystal silicon used in the electronics industry to make semiconductor devices like integrated circuits. Other semiconductors, such as gallium arsenide, can also be grown by this method, although lower defect densities in this case can be obtained using variants of the Bridgman–Stockbarger method. The method is not limited to production of metal or metalloid crystals. For example, it is used to manufacture very high-purity crystals of salts, including material with controlled isotopic composition, for use in particle physics experiments, with tight controls (part per billion measurements) on confounding metal ions and water absorbed during manufacture. Monocrystalline silicon (mono-Si) grown by the Czochralski method is often referred to as monocrystalline Czochralski silicon (Cz-Si). It is the basic material in the production of integrated circuits used in computers, TVs, mobile phones and all types of electronic equipment and semiconductor devices. Monocrystalline silicon is also used in large quantities by the photovoltaic industry for the production of conventional mono-Si solar cells. The almost perfect crystal structure yields the highest light-to-electricity conversion efficiency for silicon.
À propos de ce résultat
Cette page est générée automatiquement et peut contenir des informations qui ne sont pas correctes, complètes, à jour ou pertinentes par rapport à votre recherche. Il en va de même pour toutes les autres pages de ce site. Veillez à vérifier les informations auprès des sources officielles de l'EPFL.
Cours associés (2)
MICRO-565: Fundamentals & processes for photovoltaic devices
The objective of this lecture is to give an in-depth understanding of the physics and manufacturing processes of photovoltaic solar cells and related devices (photodetectors, photoconductors). The pri
PHYS-433: Semiconductor physics and light-matter interaction
Lectures on the fundamental aspects of semiconductor physics and the main properties of the p-n junction that is at the heart of devices like LEDs & laser diodes. The last part deals with light-matter
Séances de cours associées (32)
Nanofabrication: Techniques et défis
Explore les techniques de nanofabrication, les défis et l'utilisation de plaquettes de silicium.
Conductivité électrique des métaux
Explore la conductivité électrique dans les métaux, les semi-conducteurs et les propriétés optiques des semi-conducteurs.
Préparation de silicone et de wafer
Explore la préparation de silicium et de wafer pour le photovoltaïque, en mettant l'accent sur la réduction des coûts et de l'impact environnemental grâce à l'amélioration de l'efficacité et des procédés de fabrication.
Afficher plus
Publications associées (73)

Growth and Doping Mechanisms of III-V Nanostructures by Selective Area Epitaxy

Didem Dede

Selective area epitaxy (SAE), applied to semiconductor growth, allows tailored fabrication of intricate structures at the nanoscale with enhanced properties and functionalities. In the field of nanowires (NWs), it adds scalability by enabling the fabricati ...
EPFL2024

Secondary Phase CeO2 Precipitates in Ce,Er-Doped Na0.5La0.5MoO4 Single Crystals Grown by Czochralski Method

Philippe Buffat, Elena Suvorova Buffat

Analytical scanning and transmission electron microscopy were used to study the microstructure of Ce,Er-doped Na0.5La0.5MoO4 laser crystals. Crystals were grown by the Czochralski method from the melts with a nominal composition of Na0.5La0.5−xCexEr0.005Mo ...
2023
Afficher plus
Concepts associés (17)
Cellule photovoltaïque
Une cellule photovoltaïque, ou cellule solaire, est un composant électronique qui, exposé à la lumière, produit de l’électricité grâce à l’effet photovoltaïque. La puissance électrique obtenue est proportionnelle à la puissance lumineuse incidente et elle dépend du rendement de la cellule. Celle-ci délivre une tension continue et un courant la traverse dès qu'elle est connectée à une charge électrique (en général un onduleur, parfois une simple batterie électrique).
Wafer
En électronique, un wafer (littéralement en français « tranche ») est une tranche ou une plaque très fine de matériau semi-conducteur monocristallin utilisée pour fabriquer des composants de microélectronique. En français, les termes de « tranche », « plaque » (voire, « plaquette ») ou « galette » sont également utilisés. Cependant, l'usage de l'anglais est très répandu dans les unités de fabrication de semi-conducteurs et dans le langage des ingénieurs.
Monocrystalline silicon
Monocrystalline silicon, more often called single-crystal silicon, in short mono c-Si or mono-Si, is the base material for silicon-based discrete components and integrated circuits used in virtually all modern electronic equipment. Mono-Si also serves as a photovoltaic, light-absorbing material in the manufacture of solar cells. It consists of silicon in which the crystal lattice of the entire solid is continuous, unbroken to its edges, and free of any grain boundaries (i.e. a single crystal).
Afficher plus