Explore la création de défauts dans les matériaux électroniques à grande surface, en mettant l'accent sur le silicium amorphe et en discutant de l'efficacité du dopage, de la densité estimée des défauts et des défauts induits par la lumière.
Couvre les propriétés d'équilibre des semi-conducteurs, en se concentrant sur la dynamique des charges et l'influence de la température sur la génération d'électrons-trous.
Couvre les réponses photoélectrochimiques dynamiques pour les pertes de stabilité et de recombinaison dans les absorbeurs solaires et les jonctions électrolytiques semi-conducteurs.
Couvre les profils de dopage dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur les barres de silicium dopées au bore et au phosphore pour des applications telles que les photodiodes à avalanche.
Fournit une vue d'ensemble des dispositifs photovoltaïques et des diodes électroluminescentes, en se concentrant sur leurs mécanismes, leurs facteurs d'efficacité et leurs considérations matérielles.
