Explore l'implantation d'ions dans le silicium pour la fabrication de transistors et de diodes, couvrant les étapes, les défis, les solutions et les niveaux de dopage.
Couvre les propriétés de transport des semi-conducteurs, en se concentrant sur la dynamique des charges, les courants de dérive et la relation entre la mobilité et la conductivité.
Explore le transport électronique dans les semi-conducteurs, y compris la mobilité, la diffusion des impuretés et les puits de potentiel d'hétérostructure.
Couvre les principes et l'optimisation des transistors bipolaires, en se concentrant sur les configurations PNP et NPN et leurs caractéristiques de performance.
Se penche sur l'utilisation du germanium dans le calcul quantique, en mettant l'accent sur les systèmes quantiques à base de trous et les progrès des matériaux.
