Explore le cadre théorique derrière l'absorption optique interbande dans les semi-conducteurs à bande interdite directe, y compris la dérivation des taux de transition et des coefficients d'absorption.
Explore le transport, la génération et la recombinaison dans les semi-conducteurs, couvrant les conductivités de dérive et de diffusion, les mécanismes de piégeage, divers canaux de recombinaison, et le rôle des pièges et des centres de recombinaison.
Explore l'impact de la contrainte sur les structures de bande de semi-conducteurs, l'épitaxie, l'épaisseur critique et la formation de défauts, en mettant l'accent sur le rôle de la loi de Hooke et de la théorie de l'élasticité.
Explore la modélisation de la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, en mettant l'accent sur le calcul de la tension de la porte et l'analyse des défauts.
Explore les fondamentaux et les progrès des matériaux électroniques organiques, couvrant des sujets tels que la délocalisation électronique, le transport de charge, la préparation de semi-conducteurs et l'ingénierie durable.
Explore la délocalisation intramoléculaire des électrons dans l'électronique organique, couvrant l'histoire, les défis, le transport de charge, la préparation des appareils et les sujets avancés.
