Atomic layer depositionL’atomic layer deposition (ALD) est un procédé de dépôt de couches minces atomiques. Le principe consiste à exposer une surface successivement à différents précurseurs chimiques afin d'obtenir des couches ultra-minces. Il est utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. L'énorme avantage de l'ALD est de pouvoir faire une monocouche sur une surface présentant un très fort rapport d'aspect (des creux et des bosses). Notamment car la réaction de CVD se déroule directement à la surface, sur une monocouche de gaz précurseurs adsorbés.
Die (circuit intégré)alt=Puce nue d'un circuit intégré Texas Instruments 5430|vignette|Puce nue d'un circuit intégré Texas Instruments 5430. thumb|en d'un Intel Pentium 4 visible après le retrait de l'IHS. En électronique, un die (de l'anglais) est un petit morceau rectangulaire résultant de la découpe d'un en sur lequel un circuit intégré a été fabriqué. Par extension, « en » désigne le circuit intégré lui-même sans son boîtier, et il est synonyme de puce électronique.
Subthreshold conductionSubthreshold conduction or subthreshold leakage or subthreshold drain current is the current between the source and drain of a MOSFET when the transistor is in subthreshold region, or weak-inversion region, that is, for gate-to-source voltages below the threshold voltage. The amount of subthreshold conduction in a transistor is set by its threshold voltage, which is the minimum gate voltage required to switch the device between on and off states.
Arthur RockArthur Rock (born August 19, 1926) is an American businessman and investor. Based in Silicon Valley, California, he was an early investor in major firms including Intel, Apple, Scientific Data Systems and Teledyne. Rock was born and raised in Rochester, New York, in a Jewish family. He was an only child and his father owned a small candy store where Rock worked in his youth. He joined the U.S. Army during World War II but the war ended before he was deployed. He then went to college on the G.I. Bill.
Dennard scalingIn semiconductor electronics, Dennard scaling, also known as MOSFET scaling, is a scaling law which states roughly that, as transistors get smaller, their power density stays constant, so that the power use stays in proportion with area; both voltage and current scale (downward) with length. The law, originally formulated for MOSFETs, is based on a 1974 paper co-authored by Robert H. Dennard, after whom it is named. Dennard's model of MOSFET scaling implies that, with every technology generation: Transistor dimensions could be scaled by −30% (0.
Potential applications of graphenePotential graphene applications include lightweight, thin, and flexible electric/photonics circuits, solar cells, and various medical, chemical and industrial processes enhanced or enabled by the use of new graphene materials. In 2008, graphene produced by exfoliation was one of the most expensive materials on Earth, with a sample the area of a cross section of a human hair costing more than 1,000asofApril2008(about100,000,000/cm2). Since then, exfoliation procedures have been scaled up, and now companies sell graphene in large quantities. 3D XPointthumb|Schéma de principe de la mémoire 3D XPoint thumb|Intel Optane carte mère M.2 3D XPoint (prononcé en anglais « 3D CrossPoint ») est une technologie de mémoire non volatile annoncée par Intel et Micron en et abandonnée en 2022. La vitesse de fonctionnement et la longévité d'écriture étaient censées être chacune mille fois meilleures que celles de la mémoire flash. Alors que la mémoire NAND utilise les charges électriques et les blocs mémoires pour stocker des données, la mémoire 3D XPoint utilise la résistance électrique et les bits de données, qui peuvent être écrits et lus individuellement.
4-bit computing4-bit computing is the use of computer architectures in which integers and other data units are 4 bits wide. 4-bit central processing unit (CPU) and arithmetic logic unit (ALU) architectures are those that are based on registers or data buses of that size. Memory addresses (and thus address buses) for 4-bit CPUs are generally much larger than 4-bit (since only 16 memory locations would be very restrictive), such as 12-bit or more, while they could in theory be 8-bit. A group of four bits is also called a nibble and has 24 = 16 possible values.
Low-κ dielectricIn semiconductor manufacturing, a low-κ is a material with a small relative dielectric constant (κ, kappa) relative to silicon dioxide. Low-κ dielectric material implementation is one of several strategies used to allow continued scaling of microelectronic devices, colloquially referred to as extending Moore's law. In digital circuits, insulating dielectrics separate the conducting parts (wire interconnects and transistors) from one another.
Laser à fluorure de kryptonUn laser à fluorure de krypton, souvent abrégé en laser KrF, est un type particulier de laser à excimère (qu'on devrait d'ailleurs appeler ici "laser à exciplexe"). Ce type de laser produit un rayonnement électromagnétique cohérent par dissociation d'un complexe excité KrF* de fluor et de krypton formé en absorbant de l'énergie d'une source extérieure : 2 Kr + + énergie → 2 KrF* KrF* → KrF + hν à 2 KrF → 2 Kr + Le complexe KrF* n'est stable qu'à l'état excité (la définition même d'un exciplexe) et se dissocie immédiatement en krypton et fluor dès qu'il est retombé à son état fondamental après émission de photons correspondant à la transition énergétique, à savoir un rayonnement électromagnétique à de longueur d'onde, c'est-à-dire dans l'ultraviolet.
