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Couvre les transistors BJT et MOS, les amplificateurs, les paires différentielles, les exercices pratiques et les étapes en cascade dans la conception IC.
Explore les dispositifs semi-conducteurs développement historique, résistance au contact, caractéristiques FET, limite quantique, contacts de matériaux 2D, et mécanismes de charge-injection.
Fournit une vue d'ensemble de la physique des jonctions métal-semiconducteur, y compris la fonction de travail, la barrière Schottky, les contacts Ohmic et les hétérojonctions.
Explore l'importance de la puissance et de l'énergie dans la conception VLSI, couvrant des sujets tels que la réduction de la puissance, l'efficacité énergétique et la mise à l'échelle de la tension.
Explore les transistors à couches minces organiques, couvrant les caractéristiques, la mobilité, l'impact du stress, le transport ambipolaire et les défis de conception.
Explore l'optimisation de conception de faible puissance dans les transistors MOSFET, en se concentrant sur les coefficients d'inversion et l'efficacité de transconductance pour une performance maximale.
Explore le retard de l'onduleur, le dimensionnement, les capacités parasites et l'impact de l'appareil sur l'optimisation du retard dans les circuits numériques.
