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Cette séance de cours couvre le développement historique des dispositifs semi-conducteurs, Moore's Law, CMOS Scaling, résistance de contact en pratique, influence sur les caractéristiques FET, limite quantique de résistance, mesures de résistance de contact, TLM, géométrie de contact, échelle, examen expérimental, contacts électriques vers des matériaux 2D, mécanismes d'injection de charge, extraction de la hauteur de barrière Schottky, ingénierie de phase, dopage, contacts de bord, et transfert direct de contacts sur des matériaux 2D.