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Concept
Mémoire flash
Résumé
vignette|Une clé USB en 2005. La puce de gauche est la mémoire flash, celle de droite le microcontrôleur.
vignette|Un lecteur USB de cartes mémoires utilisées par exemple dans les appareils photo numériques.
La mémoire flash est une mémoire de masse à semi-conducteurs réinscriptible, c'est-à-dire possédant les caractéristiques d'une mémoire vive mais dont les données ne disparaissent pas lors d'une mise hors tension. La mémoire flash stocke dans des cellules de mémoire les bits de données qui sont conservées lorsque l'alimentation électrique est coupée.
Sa vitesse élevée, sa durée de vie et sa faible consommation (qui est même nulle au repos) la rendent très utile pour de nombreuses applications : appareils photo numériques, téléphones cellulaires, imprimantes, assistants personnels (PDA), ordinateurs portables ou dispositifs de lecture et d'enregistrement sonore comme les baladeurs numériques, clés USB. De plus, ce type de mémoire ne possède pas d'éléments mécaniques, ce qui lui confère une grande résistance aux chocs.
La mémoire flash est un type d'EEPROM qui permet la modification de plusieurs espaces mémoires en une seule opération. La mémoire flash est donc plus rapide lorsque le système doit écrire à plusieurs endroits en même temps.
La mémoire flash utilise comme cellule de base un transistor MOS possédant une grille flottante enfouie au milieu de l'oxyde de grille, entre le canal et la grille. L'information est stockée grâce au piégeage d'électrons dans cette grille flottante. Deux mécanismes sont utilisés pour faire traverser l'oxyde aux électrons :
l' ;
l'effet tunnel obtenu en appliquant une haute tension sur la « vraie » grille (appelée « grille de contrôle »).
La technique flash se décline sous deux principales formes : flash NOR et NAND, selon la ressemblance de la ligne de transistors d'état avec une cellule de transistors NOR ou NAND. Il n'y a en réalité aucun rapport avec les portes NAND et NOR dans la construction de la mémoire flash.
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