Phosphure de zinc

Résumé

Le phosphure de zinc () est un composé chimique minéral ou inorganique. Il est utilisé comme rodenticide et fait l'objet de recherches pour des applications dans l'énergie solaire photovoltaïque. Il est l'un des deux composés dans le système zinc-phosphore, l'autre étant le diphosphure de zinc (). Propriétés physiques et chimiques Il s'agit d'un corps solide gris acier. Sa structure cristalline se transforme d'une structure tétragonale, stable à basse température, en une structure cubique aux alentours de . Il se décompose lentement dans l'eau pure, sans être soluble. Le phosphure de zinc réagit avec l'eau pour former de la phosphine (PH3) et de l'hydroxyde de zinc (Zn(OH)2): :Zn3P2 + 6 H2O → 2 PH3 + 3 Zn(OH)2 Il est soluble dans les acides dilués et l'acide nitrique, mais insoluble dans l'éthanol. Le phosphure de zinc se décompose dans l'acide sulfurique en sulfate de zinc solubilisé et en gaz phosphine . Il se décompose sous un flux de gaz dihydrogène. Préparat

Source officielle

https://fr.wikipedia.org/wiki/Phosphure_de_zinc

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Ce cours porte sur le transfert de la chaleur par conduction, convection et rayonnement, ainsi que sur la diffusion à l'état solide. D'après les règles phénoménologiques (Equations de Fourrier et Fick), des problèmes de solution 1-D et 2-D ainsi que modèles atomiques de transport seront traité.

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This work presents a novel InGaAs/InP SPAD structure fabricated using a selective area growth (SAG) method. The surface topography of the selectively grown film deposited within the 70 mu m diffusion apertures is used to engineer the Zn diffusion profile to suppress premature edge breakdown. The device achieves a highly uniform active area without the need for shallow diffused guard ring (GR) regions that are inherent in standard InGaAs/InP SPADs. We have obtained 33% and 43% photon detection probability (PDP) at 1550 nm, with 5 V and 7 V excess bias, respectively. These measurements were performed at 300 K and 225 K. The dark count rate (DCR) per unit area at room temperature and at 5 V excess bias is 430 cps/mu m(2) and it decreases to 5 cps/mu m(2) at 225 K. Timing jitter is measured with passive quenching at 1550nm as 149 ps at full-width-at-half-maximum (FWHM), (300 K, 5 V excess bias). The proposed technology is suitable for a number of applications, including optical time-domain reflectometry (OTDR), quantum information, and light detection and ranging (LiDAR).

IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC2022

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Thermodynamic re-assessment of the Zn–P binary system

Simon Robert Escobar Steinvall, Anna Fontcuberta i Morral, Elias Zsolt Stutz, Mahdi Zamani

Thermodynamic phase diagrams are the cornerstones to develop synthesis of new materials. Zinc phosphide has evolved into a prospective semicontuctor for next generation solar cells, thanks to its abundance and functional properties. Here we derive an optimized Zn-P binary diagram, and compare it to two previously available assessments. We solve some of the artefacts and clarify the methodology to obtain the Gibbs free energy, reaching an accurate description of the phases. This work is important for the synthesis of zinc-phosphide in the form of thin film and nanostructures.

2019

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Zinc phosphide, Zn3P2, is a semiconductor with a high absorption coefficient in the spectral range relevant for single junction photovoltaic applications. It is made of elements abundant in the Earth's crust, opening up a pathway for large deployment of solar cell alternatives to the silicon market. Here we provide a thorough study of the optical properties of single crystalline Zn3P2 thin films grown on (100) InP by molecular beam epitaxy. The films are slightly phosphorus-rich as determined by Rutherford backscattering. We elucidate two main radiative recombination pathways: one transition at approximately 1.52 eV attributed to zone-center band-to-band electronic transitions; and a lower-energy transition observed at 1.3 eV to 1.4 eV attributed to a defect band or band tail related recombination mechanisms. We believe phosphorus interstitials are likely at the origin of this band.

2021

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