Mémoire non volatileUne mémoire non volatile est une mémoire informatique qui conserve ses données en l'absence d'alimentation électrique. On distingue plusieurs types de mémoires non volatiles : les mémoires à base de papier, par exemple les rubans perforés et les cartes perforées ; les mémoires à base de semi-conducteurs, par exemple les mémoires mortes (ROM) et les mémoires RAM non volatiles (NVRAM) ; les mémoires utilisant un support magnétique, par exemple les disquettes (floppy disks) et les disques durs (hard disks) ; les mémoires utilisant une surface réfléchissante lue par un laser, par exemple les CD et les DVD.
Mémoire à ligne de délaiLa mémoire à ligne de délai (en anglais delay line memory) était un type de mémoire vive utilisé sur certains des premiers ordinateurs numériques, comme l'EDSAC et l'UNIVAC I. Le concept de base de la ligne de délai est issu des recherches sur le radar, à l'occasion de la Seconde Guerre mondiale. Celles-ci visaient à réduire les perturbations amenées par la réflexion des ondes avec le sol et les autres objets fixes. Les radars de l'époque utilisaient des pulsations répétées d'énergie radio, les réflexions étaient reçues et amplifiées pour être affichées.
Hiérarchie de mémoireDans un ordinateur, le processeur accède aux instructions du programme à exécuter ainsi qu'aux données nécessaires à son exécution depuis la mémoire. Il existe une hiérarchie des mémoires informatiques : les plus rapides sont les plus coûteuses, donc en nombre limité, et placées le plus près du processeur (les registres font partie intégrante du processeur). Les plus lentes sont les moins coûteuses et sont éloignées du processeur. Le matériel et le système d'exploitation sont responsables du déplacement des objets le long de cette hiérarchie.
Electrically-erasable programmable read-only memoryvignette|EEPROM Silicon Storage Technology 39VF512. La mémoire EEPROM (Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory ou mémoire morte effaçable électriquement et programmable) (aussi appelée E2PROM ou E2PROM) est un type de mémoire morte. Une mémoire morte est une mémoire utilisée pour enregistrer des informations qui ne doivent pas être perdues lorsque l'appareil qui les contient n'est plus alimenté en électricité. Le contenu de la mémoire EEPROM peut être facilement effacé et réécrit à l'aide d'un courant électrique.
MégabyteUn mégabyte (MB) est une unité de mesure (méga est un préfixe du Système international) correspondant généralement à un mégaoctet. Ainsi, on a: 1 MB = 106 B = 1 000 000 B (bytes) 1 MB = 1 000 kB (kilobytes) Une confusion historique existe entre l'utilisation de préfixes binaires ou décimaux pour la valeur du mégabyte. En 1998, le NIST introduit des noms et préfixes pour désigner les préfixes binaires. Ainsi, il ne faut pas confondre le mégabyte (qui équivaut à 10^6 bytes) avec le mébibyte (qui équivaut à 2^20 bytes, soit 1024 kilobytes).
Floating-gate MOSFETThe floating-gate MOSFET (FGMOS), also known as a floating-gate MOS transistor or floating-gate transistor, is a type of metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) where the gate is electrically isolated, creating a floating node in direct current, and a number of secondary gates or inputs are deposited above the floating gate (FG) and are electrically isolated from it. These inputs are only capacitively connected to the FG.
SDRAMSDRAM ou Synchronous Dynamic Random Access Memory (en français, mémoire dynamique synchrone à accès aléatoire) est un type particulier de mémoire vive dynamique ayant une interface de communication synchrone. Jusqu'à son apparition, les mémoires DRAM étaient asynchrones, cela signifie qu'elles n'attendaient pas un signal de l'horloge du bus pour réagir aux signaux d'entrée, donc qu'elles n'étaient pas synchronisées avec le bus.
Self-aligned gateUne self-aligned gate (qu'on pourrait traduire de l'anglais par « grille auto-alignée ») est un procédé de fabrication de transistor MOSFET dans lequel la grille, très dopée, est utilisée en tant que masque pour le dopage de la source et du drain qui l'entourent. Grâce à cette technique, la grille chevauche toujours les bords de la source et du drain, ce qui est indispensable au bon fonctionnement du transistor MOSFET. La technique de self-aligned gate est née en 1966, et fut brevetée aux États-Unis en . Fa
Rafraîchissement de la mémoireLe rafraîchissement de la mémoire est un processus qui consiste à lire périodiquement les informations d'une mémoire d'ordinateur et les réécrire immédiatement sans modifications, dans le but de prévenir la perte de ces informations. Le rafraîchissement de la mémoire est requis dans les mémoires de type DRAM (dynamic random access memory), le type de mémoire vive le plus largement utilisé, et le rafraîchissement est une des caractéristiques principales de ce type de mémoire.
Mémoire adressable par contenuUne mémoire adressable par le contenu (CAM, en anglais Content-Addressable Memory) est un type de mémoire informatique spécial, utilisé dans certaines applications pour la recherche à très haute vitesse. Elle est aussi connue sous le nom de mémoire associative (associative memory, associative storage, ou associative array). Contrairement aux mémoires informatiques standards (random access memory ou RAM) pour lesquelles l'application utilisatrice fournit une adresse mémoire et la RAM renvoie la donnée stockée à cette adresse, une CAM est conçue de manière que l'application utilisatrice fournisse un mot de donnée et la CAM recherche dans toute la mémoire pour voir si ce mot y est stocké.
