Concept

MODFET

Résumé
Le MODFET (modulated-doping field effect transistor) ou transistor à effet de champ à dopage modulé est un type de transistor à effet de champ (FET). Il est connu aussi sous le nom de HEMT (High Electron Mobility Transistor), ou transistor à électron à haute mobilité. Comme les autres FET, les MODFET sont utilisés dans les circuits intégrés comme interrupteur numérique. Structure vignette|Structure de bande d'un transistor HEMT n-AlGaAs/GaAs montrant la présence d'une zone de gaz d'électrons 2D. Un MODFET est constitué par une hétérojonction de type I (SiGe/Ge, AlGaN/InGaN, AlInAs/GaInAs, GaInAs/AlGaAs, AlGaAs/AlGa). L'hétérojonction est formée par plusieurs couches de dopage différent : une couche du matériau au gap le plus petit (GaAs pour le MODFET AlGaAs/GaAs par exemple) fortement dopé (n+) sur lequel sont connectés le drain et la source, une couche du matériau au gap le plus grand (AlGaAs toujours pour le MODFET AlGaAs/GaAs) fortement dopé (n+) sur lequel est connect
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