Arséniure de gallium-indium

L'arséniure d'indium-gallium (InGaAs) (ou arséniure de gallium-indium, GaInAs) est un alliage ternaire (composé chimique) d'arséniure d'indium (InAs) et d'arséniure de gallium (GaAs). L'indium et le gallium sont des éléments du (groupe III) du tableau périodique tandis que l'arsenic est un élément du (groupe V). Les alliages de ces éléments chimiques sont appelés composés "III-V". InGaAs a des propriétés intermédiaires entre celles de GaAs et de InAs. InGaAs est un semi-conducteur à température ambiante avec des applications en électronique et en photonique. L'intérêt principal de GaInAs est son utilisation comme photodétecteur rapide et à haute sensibilité pour les télécommunications par fibre optique. Les termes arséniure de gallium-indium (InGaAs) et l'arséniure de gallium-indium (GaInAs) sont utilisés alternativement. Selon les règles de l'IUPAC, la nomenclature recommandée pour cet alliage est GaxIn1-xAs où les éléments du groupe III apparaissent dans l'ordre de numéro atomique croissant, comme dans l'alliage apparenté AlxGa1-xAs. La composition de l'alliage de loin la plus importante du point de vue technologique et commercial est Ga0.47In0.53As, qui peut être déposé sous forme monocristalline sur du phosphure d'indium (InP). Le GaInAs n'est pas un matériau présent naturellement sur Terre. Il est nécessaire d'utiliser des monocristaux pour les applications en électronique et en photonique. Pearsall et al furent les premiers à décrire la croissance par épitaxie de monocristaux de In0.53Ga0.47As sur des substrats InP orientés-(111) et orientés-(100). Des monocristaux sous forme de film mince peuvent être obtenus par épitaxie en phase liquide (LPE), en phase vapeur (VPE), par épitaxie par jet moléculaire (MBE) et par épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MO-CVD). De nos jours, la plupart des composants commerciaux sont produits par MO-CVD ou par MBE. Les propriétés optiques et mécaniques de InGaAs peuvent être modifiées en changeant le ratio entre InAs et GaAs, In1-xGaxAs.