Couvre la non-linéarité cantilever dans les dispositifs micro/nanomécaniques et leurs aspects expérimentaux.
Explore les opérations MOSFET, la modélisation et les compromis dans la conception de circuits intégrés analogiques, en mettant l'accent sur la polarisation, le mode de fonctionnement et les paramètres de petit signal.
Explore la simulation de transistors moléculaires, couvrant les effets d'horloge, la distribution de charge, les réseaux en cascade et la fabrication de circuits.
Plonge dans l'évolution et les limites potentielles de la loi de Moore, analysant son impact sur l'industrie des semi-conducteurs et l'innovation technologique.
Explore l'évolution historique de la technologie CMOS, de l'analyse MOSFET et de ses applications dans l'électronique numérique et analogique.
Introduit des dispositifs micro/nanomécaniques, couvrant la fabrication, les concepts clés, et les questions pratiques.
Explore l'effet corporel, la modulation de la longueur des canaux et la conduction des sous-seuils dans les MOSFET, cruciale pour la conception des circuits.
Présente les transistors MOSFET et les circuits logiques CMOS, soulignant l'impact de la miniaturisation sur la technologie des semi-conducteurs.
Explore les transistors moléculaires pour le calcul logique, la conception, la simulation et la fabrication, en mettant l'accent sur les parasites d'interconnexion et les performances des appareils.
Explore la transconductance MOSFET, la conductance de sortie et la résistance d'accès dans les petits modèles de signaux.
