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Explore les opérations MOSFET, la modélisation et les compromis dans la conception de circuits intégrés analogiques, en mettant l'accent sur la polarisation, le mode de fonctionnement et les paramètres de petit signal.
Explore la simulation de transistors moléculaires, couvrant les effets d'horloge, la distribution de charge, les réseaux en cascade et la fabrication de circuits.
Plonge dans l'évolution et les limites potentielles de la loi de Moore, analysant son impact sur l'industrie des semi-conducteurs et l'innovation technologique.
Explore l'effet corporel, la modulation de la longueur des canaux et la conduction des sous-seuils dans les MOSFET, cruciale pour la conception des circuits.
Explore les transistors moléculaires pour le calcul logique, la conception, la simulation et la fabrication, en mettant l'accent sur les parasites d'interconnexion et les performances des appareils.
Explore les dispositifs semi-conducteurs développement historique, résistance au contact, caractéristiques FET, limite quantique, contacts de matériaux 2D, et mécanismes de charge-injection.
Couvre la conception de circuits intégrés CMOS analogiques de faible puissance et les défis de la mise à l'échelle de la technologie dans l'industrie des semi-conducteurs.
