Séance de cours
Cette séance de cours traite des résultats récents sur le dopage électrostatique et les dispositifs nanoélectroniques à base de carbone, en se concentrant sur l'échelle des transistors, l'impact de la faible densité d'états sur les performances des dispositifs et le potentiel des FET tunnel. L'instructeur présente des exemples de transistors à nanotubes de carbone à double grille et de dispositifs de graphène monocouche, soulignant l'importance de grilles supplémentaires dans l'amélioration des caractéristiques du dispositif. L'utilisation de structures enterrées à trois portes pour étudier les nanostructures à base de carbone et le potentiel des transistors à nanoruban sont également explorés, soulignant l'importance de la faible densité d'états dans ces matériaux pour de nouveaux concepts de dispositifs.