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Couvre la physique des jonctions p-n, y compris les propriétés à l'équilibre thermique, la formation de la région de charge d'espace et la lithographie optique.
Couvre les transistors BJT et MOS, les amplificateurs, les paires différentielles, les exercices pratiques et les étapes en cascade dans la conception IC.
Explore la résistance au contact dans les dispositifs semi-conducteurs, y compris la loi de Moore, les caractéristiques FET, les limites quantiques et les techniques de mesure.
Explore l'impact de la contrainte sur la structure de liaison dans les semi-conducteurs et ses implications pratiques pour l'ingénierie des dispositifs.
Couvre le modèle de transistor MOS Shockley, les grilles logiques CMOS, le fonctionnement du transistor, les paramètres de conception et les caractéristiques I-V.
