Explore le dopage électrostatique dans la nanoélectronique à base de carbone, en soulignant l'importance de la faible densité d'états pour de nouveaux concepts de dispositifs.
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Explore le concept de coefficient d'inversion dans la conception de circuits intégrés analogiques de faible puissance, en mettant l'accent sur les compromis pour une consommation d'énergie minimale.
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Explore la simulation de transistors moléculaires, couvrant les effets d'horloge, la distribution de charge, les réseaux en cascade et la fabrication de circuits.
Plonge dans l'évolution et les limites potentielles de la loi de Moore, analysant son impact sur l'industrie des semi-conducteurs et l'innovation technologique.
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Fournit une vue d'ensemble du fonctionnement de MOSFET, en se concentrant sur les caractéristiques NMOS et PMOS, y compris les équations actuelles et les effets de modulation de canal.