Concept

Electron beam-induced deposition

Résumé
La croissance assistée par faisceau d'électrons (en anglais Electron beam-induced deposition (EBID)) est un procédé de décomposition, induite par un faisceau d'électrons, de molécules gazeuses adsorbées sur un substrat. La résultante en est un dépôt solide constitué des fragments non volatils de la molécule de précurseur. Le faisceau d'électrons, s'il provient d'un microscope électronique à balayage ou à transmission (scanning electron microscope) peut permettre la réalisation de structures à haute résolution spatiale (diamètre inférieur au nanomètre), ou des structures tridimensionnelles. Procédé Mécanisme de croissance Résolution spatiale Matériaux et précurseurs Avantages Inconvénients Croissance induite par faisceau d'ions Formes Voir aussi *Electron microscopy *Focused ion beam *Metal carbonyl *Métallocène *Organometallic chemistry *Scanning electron microscope *Sc
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