Couvre les masses efficaces dans les semi-conducteurs, en se concentrant sur les bandes d'énergie et leurs implications pour les matériaux comme le silicium et l'arséniure de gallium.
Explore la structure de la bande de semi-conducteurs, les statistiques sur les porteurs et l'impact des impuretés sur l'activation et la conductivité des porteurs.
Fournit une compréhension unifiée des mécanismes de transport de charge dans les semi-conducteurs organiques en utilisant la relation généralisée d'Einstein.
Explore l'impact de la contrainte sur les structures de bande de semi-conducteurs, l'épitaxie, l'épaisseur critique et la formation de défauts, en mettant l'accent sur le rôle de la loi de Hooke et de la théorie de l'élasticité.
