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Explore l'implantation d'ions dans le silicium pour la fabrication de transistors et de diodes, couvrant les étapes, les défis, les solutions et les niveaux de dopage.
Explore les effets de la non-linéarité dans les transistors MOS RF, couvrant l'entrée bicolore, l'intermodulation et le point d'interception du troisième ordre.
Explore la création de puces informatiques en trois dimensions, en se concentrant sur la performance, la consommation d'énergie et les solutions de câblage.
Explore le retard de l'onduleur, le dimensionnement, les capacités parasites et l'impact de l'appareil sur l'optimisation du retard dans les circuits numériques.
Explore la détection d'amplification d'ADN en temps réel à l'aide d'un transistor à semi-conducteur et discute des stratégies de compensation pour les réseaux de capteurs.